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超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)  (検索条件: 2011年度)

「from:2011-10-12 to:2011-10-12」による検索結果

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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SCE 2011-10-12
13:00
東京 機械振興会館 超伝導ナノワイヤ単一光子検出器におけるダークカウントの物理的起源
山下太郎三木茂人牧瀬圭正丘 偉寺井弘高藤原幹生佐々木雅英王 鎮NICTSCE2011-12
我々は今回、超伝導ナノワイヤ単一光子検出器において発生するダークカウントの物理的なメカニズムの解明を目的として、素子の直... [more] SCE2011-12
pp.1-6
SCE 2011-10-12
13:25
東京 機械振興会館 SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定
菊池健人守屋雅隆島田 宏・○水柿義直電通大SCE2011-13
サブミクロンAl接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に決... [more] SCE2011-13
pp.7-12
SCE 2011-10-12
13:50
東京 機械振興会館 磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答
矢野 峻奥村崇之赤池宏之藤巻 朗名大SCE2011-14
本誌では、磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答について述べる。我々は単一磁束量子(SFQ)回路の高性能化... [more] SCE2011-14
pp.13-17
SCE 2011-10-12
14:15
東京 機械振興会館 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善
舩井辰則内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大SCE2011-15
本誌では、プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合における接合作製プロセス及び電気的特性改善について述べる。こ... [more] SCE2011-15
pp.19-24
SCE 2011-10-12
14:50
東京 機械振興会館 交流プログラマブル型ジョセフソン電圧標準の開発
丸山道隆浦野千春山田隆宏山森弘毅金子晋久産総研SCE2011-16
ジョセフソン効果を用いた標準電圧発生器(JVS)は,世界各国の標準研究所で直流電圧の校正用システムとして実用化されている... [more] SCE2011-16
pp.25-30
SCE 2011-10-12
15:15
東京 機械振興会館 Josephson-CMOSハイブリッドメモリ用低温CMOS増幅器の評価
陳 賢珠桑原啓太山梨裕希吉川信行横浜国大SCE2011-17
 [more] SCE2011-17
pp.31-36
SCE 2011-10-12
15:40
東京 機械振興会館 大規模SFQ回路のためのNb多層アドバンストプロセスの開発
永沢秀一日野出憲治佐藤哲朗日高睦夫超電導工学研)・藤巻 朗赤池宏之名大)・吉川信行横浜国大)・高木一義高木直史京大SCE2011-18
大規模SFQ回路の開発を目的として、臨界電流密度10kA/cm2のNb多層アドバンストプロセス(ADP)を開発し、そのプ... [more] SCE2011-18
pp.37-42
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