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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)  (検索条件: 2004年度)

「from:2004-12-03 to:2004-12-03」による検索結果
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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2004-12-03
10:05		 東京 機械振興会館 金属ナノ開口面発光レーザのプローブ特性の表面プラズモン増強
○橋爪滋郎・小山二三夫（東工大） 		 [more] LQE2004-118
pp.1-6
LQE 2004-12-03
10:30		 東京 機械振興会館 半導体フォトニック準結晶レーザの実証とレート方程式解析
○野崎謙悟・馬場俊彦（横浜国大） 		本研究では，1.55micron帯GaInAsPスラブウェハに対して12回対称性を有するフォトニック準結晶(QPC)点欠... [more] LQE2004-119
pp.7-10
LQE 2004-12-03
10:55		 東京 機械振興会館 InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性
○井手利英・馬場俊彦（横浜国大）・館林　潤・岩本　敏・中岡俊裕・荒川泰彦（東大） 		InAs量子ドットを活性層にもつ空気クラッド光閉じ込め構造のマイクロディスクレーザを製作した．
ドット層数を5層に増加... [more]		 LQE2004-120
pp.11-14
LQE 2004-12-03
11:20		 東京 機械振興会館 光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発
○山本直克・赤羽浩一・牛頭信一郎・上田章雄・大谷直毅（NICT） 		光通信波長1.3～1.55μm帯で動作する面発光レーザは材料の結晶成長条件や諸特性などの制約により、実現が非常に困難であ... [more] LQE2004-121
pp.15-20
LQE 2004-12-03
11:45		 東京 機械振興会館 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振
○山田みつき・阿南隆由・畠山　大・徳留圭一・鈴木尚文・中村隆宏・西　研一（NEC） 		GaInNAs活性層を用いた1.3μm帯面発光レーザ（VCSEL）は、中距離・大容量伝送用の低コスト・低消費電力光源とし... [more] LQE2004-122
pp.21-26
LQE 2004-12-03
13:20		 東京 機械振興会館 ［招待講演］ISLC2004報告
○吉國裕三（NTT） 		 [more] LQE2004-123
pp.27-31
LQE 2004-12-03
13:50		 東京 機械振興会館 ［招待講演］三角孔を有する高出力単一横モード面発光レーザ
○古川昭夫・佐々木　智・星　光成・松園淳史（ソニー）・森藤康輔・馬場俊彦（横浜国大） 		850nm帯面発光レーザ(VCSEL)において酸化狭窄開口を三角孔で取り巻く構造の導入により、単一横モード発振としての最... [more] LQE2004-124
pp.33-38
LQE 2004-12-03
14:30		 東京 機械振興会館 波長可変光源の線幅特性の改善
○木本竜也・黒部立郎・村主賢悟・向原智一（古河電工） 		12DFBレーザアレイ，MMIカプラ，SOAを有する波長選択型レーザにおいて，複数の反射点からの戻り光による影響を考慮し... [more] LQE2004-125
pp.39-44
LQE 2004-12-03
15:15		 東京 機械振興会館 MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振
○館林　潤・羽鳥伸明・石田　充・江部広治（東大）・須藤久男・倉又朗人（富士通研）・菅原　充・荒川泰彦（東大） 		量子ドットは近年その大きな歪効果・量子効果を利用することによるバンド構造エンジニアリング的観点からGaAs基板上で光通信... [more] LQE2004-126
pp.45-50
LQE 2004-12-03
15:40		 東京 機械振興会館 中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー
○大谷啓太・大野英男（東北大） 		 [more] LQE2004-127
pp.51-54
LQE 2004-12-03
16:05		 東京 機械振興会館 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力２波長レーザの開発
○東條友昭・山中一彦・小野澤和利・シング ビラハムパル・上田大助（松下電器）・曽我育生・前澤浩一・水谷　孝（名大） 		ＣＤ／ＤＶＤの光ディスク記録に用いるハイブリッド型の高出力２波長レーザを開発した。要求される２つのレーザの発光点間隔精度... [more] LQE2004-128
pp.55-58
LQE 2004-12-03
16:30		 東京 機械振興会館 InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析
○竹下達也・須郷　満・佐々木　徹・東盛裕一（NTT） 		AR(Antireflection)端面からOBIC強度(Optical-Beam Induced Current)をモ... [more] LQE2004-129
pp.59-64
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