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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 前澤 宏一 (富山大) 副委員長 津田 邦男 (東芝) 幹事 松永 高治 (NEC)， 鈴木 寿一 (北陸先端大) 幹事補佐 新井 学 (新日本無線)， 東脇 正高 (NICT) 日時 2016年 1月20日(水) 10：30～16：20 会場 機械振興会館 地下3階1号室（http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 1月20日(水) 午前 （10：30～16：20） (1) 10:30 - 10:55 ［依頼講演］SiC基板の評価技術とデバイス特性 ○北畠 真（FUPET） (2) 10:55 - 11:20 ［依頼講演］3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 ○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊 寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜 勲・山川 聡（三菱電機） (3) 11:20 - 11:45 ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） −−− 休憩 （ 105分 ） −−− (4) 13:30 - 13:55 ［依頼講演］GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 ○中原 健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝（ローム） (5) 13:55 - 14:20 ［依頼講演］等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ～ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ～ ○大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） (6) 14:20 - 14:45 ［依頼講演］GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 ○大野泰夫（レーザーシステム） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (7) 15:05 - 15:30 ［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀（富士通研） (8) 15:30 - 15:55 GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 ○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機） (9) 15:55 - 16:20 ［依頼講演］高周波用GaN-HEMTの開発 ○川合貴久（SEDI） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 3月3日(木)～4日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月18日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月21日(木)～22日(金) 山形大学工学部 有機EL研究センター 4F大会議室 テーマ：有機デバイス、酸化物デバイス、一般 【問合先】 松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-mail： k-      fp   c 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E-mail :  si  jaist Last modified: 2016-01-18 14:20:41 |
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