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★電子ディスプレイ研究会（EID）
専門委員長 藤掛 英夫 (NHK) 副委員長 服部 励治 (九大)， 志賀 智一 (電通大)
幹事 小南 裕子 (静岡大)， 伊達 宗和 (NTTコムウェア)
幹事補佐 山口 雅浩 (東工大)， 増田 善友 (ブリヂストン)， 山口 留美子 (秋田大)， 山口 一 (東芝)， 藤田 悦昌 (シャープ)， 新田 博幸 (日立)， 小澤 史朗 (NTT)
★情報ディスプレイ研究会（ITE-IDY）
委員長 宮下 哲哉 (東北大) 副委員長 藤掛 英夫 (NHK)
担当幹事 小牧 俊裕 (パナソニック)， 伊藤 剛 (東芝)， 杉田 辰哉 (日立)
担当幹事補佐 平野 芳邦 (NHK)， 沼尾 孝次 (シャープ)
★電子デバイス研究会（IEE-EDD）
委員長 四戸 孝 (東芝)
スマートユビキタスディスプレイ調査専門委員会 委員長 伊達 宗和 (NTT)
スマートユビキタスディスプレイ調査専門委員会 担当幹事 藤掛 英夫 (NHK)
★光関連材料・デバイス研究専門部会（IEIJ-OMD）
委員長 鎌田 憲彦 (埼玉大)
幹事 田中 克 (NHK)
日時 2011年 1月28日(金) 13：00～16：45
2011年 1月29日(土) 09：00～14：30
会場 高知工科大学 C棟（〒782-8502 高知県香美市土佐山田町宮ノ口185．JR土佐山田駅からバス約10分．http://www.kochi-tech.ac.jp/kut_J/university/access-info.html．平尾 孝、古田 守．0887-53-1111）
議題 発光型／非発光型ディスプレイ
1月28日(金) 午後 口頭発表 （13：00～15：05）
(1)/ITE-IDY 13:00 - 13:05
ガラス基板上へのパターン化に成功した酸化亜鉛(ZnO)薄膜蛍光体 ～ スパッタリングによる薄膜成長、ウェットエッチング、熱処理を経て ～
○王 大鵬・川原村敏幸・李 朝陽・平尾 孝（高知工科大）
(2)/EID 13:05 - 13:15
電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性
○井口 拓・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大）・大西彰正・北浦 守（山形大）
(3)/EID 13:15 - 13:20
355 nmレーザアニールによる希土類添加SrGa2S4薄膜蛍光体の作製
○山崎貴久（静岡大）・清野俊明（日本製鋼所）・小南裕子・中西洋一郎（静岡大）・畑中義式（愛知工科大）・原 和彦（静岡大）
(4)/EID 13:20 - 13:30
電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンイオンの局所構造解析
○北浦 守（山形大）・解 栄軍・武田隆史・広崎尚人（物質・材料研究機構）・大西彰正・佐々木 実（山形大）
(5)/EID 13:30 - 13:35
溶液合成法により作製したY3Al5O12：Ce蛍光体における合成・焼成過程でのCeの状態に関する研究
○村川琢郎（鳥取大）・大倉 央（鳥取大/メルク）・本間徹生（高輝度光科学研究センター）・宮本快暢・大観光徳（鳥取大）
(6)/EID 13:35 - 13:45
Al2S3:MnとCuを蒸着源に用い多源蒸着法により作製したCuAlS2:Mn赤色蛍光体薄膜の発光特性の改善
○小柴貴裕・中村祐介・宮本快暢・大観光徳（鳥取大）
(7)/EID 13:45 - 13:55
Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト－及び熱ルミネッセンス評価
○石岡 亮・五十嵐航平・福田武司（埼玉大）・木島直人（三菱化学）・鎌田憲彦（埼玉大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(8)/ITE-IDY 14:10 - 14:15
SrGa2S4:Eu微粒子蛍光体を用いてスピンコーテョング法により作製した緑色無機薄膜EL素子
○山下雄大・俵谷佳典・宮本快暢・大観光徳（鳥取大）
(9)/EID 14:15 - 14:25
赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製
○堀口昌吾・紺谷拓哉・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・浦岡行治（奈良先端大/JST）
(10)/EID 14:25 - 14:35
トップエミッション型液相合成ZnOナノ結晶紫外発光EL素子の電流電圧特性
○板谷和樹・河崎勇人・外山利彦・岡本博明（阪大）
(11)/EID 14:35 - 14:40
深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
○五十嵐航平・石岡 亮（埼玉大）・塚田悠介（埼玉大/理研）・福田武司・本多善太郎（埼玉大）・平山秀樹（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大）
(12)/ITE-IDY 14:40 - 14:45
ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 ～ 大気圧下、低温成長への挑戦 ～
○川原村敏幸（高知工科大）・織田容征・白幡孝洋（東芝三菱電機産業システム）・井川拓人・伊藤大師（京大）・吉田章男（東芝三菱電機産業システム）・藤田静雄（京大）・平尾 孝（高知工科大）
(13)/ITE-IDY 14:45 - 14:55
ナノ粒子散布による微細光学素子形状の3次元SEM測定
○長南隆之・片桐 麦・川上 徹（東北大）・内田龍男（仙台高専）
(14)/ITE-IDY 14:55 - 15:05
モスキートノイズの定量的評価
○谷口香苗（近大高専）
1月28日(金) 午後 ポスター発表 （15：15～16：45）
ポスター発表（講演番号(1)-(14))
1月29日(土) 午前 （09：00～11：55）
(15) 09:00 - 09:10
/EDD
カーボンナノチューブパターン化エミッタと電子放出デバイス応用
○古田 寛・河原村敏幸・古田 守・松田時宜・李 朝陽・平尾 孝 (高知工科大)
(16)/ITE-IDY 09:10 - 09:20
PDP用低電圧電極保護膜におけるプロセス耐性の改善
○本山 靖・加藤大典・関 昌彦（NHK）
(17)/EID 09:20 - 09:25
ACPDPの書き込み放電遅れ時間対初期電子数の理論的考察
○坂井徹男（ディスプレイ研）・橘 邦英（愛媛大）
(18)/ITE-IDY 09:25 - 09:35
偏光板の複素屈折率のエリプソメトリによる解析
○近藤 勉・石鍋隆宏・宮下哲哉（東北大）・内田龍男（仙台高専）
(19) 09:35 - 09:40
/EDD
TAOS-TFT LCDにおける再充電効果の数値解析
○川野英郎
(20)/EID 09:40 - 09:50
ネマチック液晶材料によるポリビニルシンナメート配向膜の容易軸制御
○山口留美子・池谷正輝（秋田大）
(21)/EID 09:50 - 09:55
アダプティブディミング方式によるLCDの画質劣化の評価と低減方法
○榊原和真・鈴木千晴・志賀智一（電通大）
(22)/EID 09:55 - 10:00
低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
○松田時宜・古田 守・平松孝浩・古田 寛・平尾 孝（高知工科大）
(23)/ITE-IDY 10:00 - 10:10
フレキシブルディスプレイ作製に向けた転写技術の開発
○中嶋宜樹・武井達哉・藤崎好英・山本敏裕（NHK）・細井雅之・木下彰宏・古川忠宏（共同印刷）・藤掛英夫（NHK）
(24)/EID 10:10 - 10:20
光重合型液晶性高分子膜のゲート絶縁膜への応用とその電気的評価の研究
○清水敦之・神戸啓太・飯村靖文（東京農工大）
−−− 休憩 （ 10分 ） −−−
(25)/EID 10:30 - 10:40
有機EL素子のヘテロ界面形成とその素子特性への影響に関する研究
宮崎喬大・○稲富雅彰・飯村靖文（東京農工大）
(26)/EID 10:40 - 10:45
有機半導体における注入および空間電荷制限電流理論式の考察
○古庄啓太郎・服部励治・李 相根（九大）
(27)/EID 10:45 - 10:55
PMOLEDのマルチライン駆動
○古賀宗典・服部励治・麻川倫広（九大）
(28)/EID 10:55 - 11:05
単層構造マルチタッチ容量方式タッチパネルの開発
○慶 奎元・弓削勝忠・弓指洋平・服部励治（九大）
(29)/ITE-IDY 11:05 - 11:10
相補型フィールドオフセットサンプリング走査の提案とスーパーハイビジョンプロジェクタへの適用
○岡野文男（NHKエンジニアリングサービス）・金澤 勝・日下部裕一（NHK）・配野泰行・古屋正人・佐藤正人（JVC Kenwood holdings）
(30)/ITE-IDY 11:10 - 11:20
RGBW４色液晶ディスプレイの表示信号処理方式
○犬塚達基（日立）
(31)/EID 11:20 - 11:30
紙のようなディスプレイをめざして ～ 電子ペーパー向け無線電力供給システム開発 ～
○弓指洋平・服部励治（九大）
(32)/ITE-IDY 11:30 - 11:35
外光抑制型フロントプロジェクタ用スクリーン
○佐藤良太・片桐 麦・鈴木芳人・鹿野 満（東北大）・内田龍男（仙台高専）
(33)/EID 11:35 - 11:45
DFD技術を用いたリアルタイム実写3D映像の表示
○安藤康子・小澤史朗・磯 和之・向内隆文・松浦宣彦（NTT）
(34)/ITE-IDY 11:45 - 11:55
レンチキュラレンズの波型化による高透過液晶ディスプレイのモアレ低減技術
○杉田辰哉（日立ディスプレイズ）・岸岡淳史（日立）・佐々木 誠・白石恭久・小村真一・今山寛隆（日立ディスプレイズ）
1月29日(土) 午後 ポスター発表 （13：00～14：30）
(35) 13:00 - 14:30
ポスター発表(講演番号(15)-(34))
一般講演：発表 8 分 ＋ 質疑応答 0 分
ポスター講演：発表 90 分
◆SID日本支部 共催
◎本研究会の発表形式は，ショート講演（８分，質疑なし），ポスター発表（９０分）の２部で構成されます。発表者のかたは、ショート講演とポスター発表の両方でのご準備をお願い申し上げます。
◎各口頭発表の開始時間は目安ですので，早目に会場にお越しください．
◎参加申込、参加費は不要です。但し、予稿集は有料となります(\2,000程度)．
◎28日研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください(当日受付，会費\4,000の予定)．
◎問合せ先 照明学会 光関連材料・デバイス研究専門部会
田中 克(NHK放送技術研究所)
Tel:03-5494-3266 E-mail: tanaka.k-ob@nhk.or.jp
☆EID研究会
☆ITE-IDY研究会
☆IEE-EDD研究会
☆IEIJ-OMD研究会
Last modified: 2010-11-18 11:30:09
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