4月17日(木) 午前
09:25 - 17:00 |
| (1) |
09:25-10:15 |
［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ |
○佐々木貴彦・川澄 篤・矢部友章・武山泰久・平林 修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山 明・深野 剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝） |
| (2) |
10:15-11:05 |
［招待講演］NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM |
○山岡雅直（日立）・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立） |
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11:05-11:15 |
休憩 （ 10分 ） |
| (3) |
11:15-12:05 |
［招待講演］833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM |
○加来真理子・岩井 斎・永井 健・和田政春・鈴木 淳・高井智久・糸賀尚子・宮崎隆行・岩井隆之（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治・大塚伸朗（東芝） |
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12:05-13:05 |
昼食 （ 60分 ） |
| (4) |
13:05-13:55 |
［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 |
○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲 隆・井上 顕・川崎 澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス） |
| (5) |
13:55-14:20 |
43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発 |
○中村 大・神田和重・小柳 勝・山村俊雄・細野浩司・吉原正浩（東芝）・三輪 達・加藤洋介（サンディスク）・Alex Mak・Siu Lung Chan・Frank Tsai・Raul Cernea・Binh Le（サンディスクコーポレーション）・牧野英一・平 隆志（東芝） |
| (6) |
14:20-15:10 |
［招待講演］SSD動向とNANDフラッシュメモリ |
○竹内 健（東大） |
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15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (7) |
15:20-17:00 |
［パネル討論］大容量フラッシュメモリの可能性を探る ～ 進行するフラッシュ革命のインパクト ～ |
○梶谷一彦（エルピーダメモリ）・篠崎直治（Spansion）・柿原俊男（日立グローバルストレージテクノロジーズ）・神田和重（東芝）・小林三千夫（Spansion）・佐圓 真（日立）・杉林直彦（NEC）・竹内 健（東大）・塚澤寿夫（東芝） |
4月18日(金) 午前
10:00 - 16:35 |
| (8) |
10:00-10:25 |
2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ |
○松藤謙介・行川敏正・中野浩明・伊藤 洋・和田 修・大塚伸朗（東芝） |
| (9) |
10:25-11:15 |
［招待講演］自動車用MCU対応8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向 |
○河井伸治・細金 明・久家重博・阿部俊広・橋本康平・大石 司・辻 直樹・榊原清彦・野口健二（ルネサステクノロジ） |
| (10) |
11:15-12:05 |
［招待講演］電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策 ～ マルチノードアップセット問題の対応 ～ |
○伊部英史（日立） |
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12:05-13:05 |
昼食 （ 60分 ） |
| (11) |
13:05-13:55 |
［招待講演］二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子 |
○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍（東芝） |
| (12) |
13:55-14:20 |
共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ |
○根橋竜介・崎村 昇・杉林直彦・本庄弘明・齊藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC） |
| (13) |
14:20-14:45 |
半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ |
○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・斉藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC） |
| (14) |
14:45-15:10 |
TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 |
○中山昌彦・甲斐 正・下村尚治・天野 実・北川英二・永瀬俊彦・吉川将寿・岸 達也・池川純夫・與田博明（東芝） |
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15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (15) |
15:20-16:10 |
［招待講演］二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性 |
○玉井幸夫（シャープ）・島 久・秋永広幸（産総研）・細井康成・大西茂夫・粟屋信義（シャープ） |
| (16) |
16:10-16:35 |
先端不揮発性メモリの将来展望とそのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～ FeRAMのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～ |
○渡辺重佳（湘南工科大） |
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