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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 安斎 久浩 (ソニー)， 遠藤 哲郎 (東北大) 幹事補佐 大西 克典 (九工大)， 小野 行徳 (NTT) 日時 2010年 2月 5日(金) 10：00～17：20 会場 機械振興協会（http://www.jspmi.or.jp/．木下 多賀雄、平野 博茂） 議題 配線・実装技術と関連材料技術 2月5日(金) 午前 （10：00～17：20） −−− 開会の挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 10:05 - 10:50 ［基調講演］三次元集積化技術の課題と展望 ○小柳光正・福島誉史・李 康旭・田中 徹（東北大） (2) 10:50 - 11:20 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 ○林 喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス） (3) 11:20 - 11:50 EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 ○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山 肇・田中雄介・河村大輔・隣 真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森 一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ） −−− 休憩 （ 70分 ） −−− (4) 13:00 - 13:30 Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 ○興梠隼人（パナソニック）・千葉原宏幸（ルネサステクノロジ）・鈴木 繁・筒江 誠（パナソニック）・瀬尾光平（パナソニックセミコンダクターエンジニアリング）・岡 好浩・後藤欣哉・赤澤守昭・宮武 浩（ルネサステクノロジ）・松本 晋・上田哲也（パナソニック） (5) 13:30 - 14:00 CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発 ○井口 学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝） (6) 14:00 - 14:30 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 ○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉 桂・柴田英毅（東芝） (7) 14:30 - 15:00 Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 ○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (8) 15:15 - 15:45 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 ○山道新太郎・森 健太郎・菊池 克・村井秀哉・大島大輔・中島嘉樹（NEC）・副島康志・川野連也（NECエレクトロニクス）・村上朝夫（NEC） (9) 15:45 - 16:15 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 ○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林 喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研） (10) 16:15 - 16:45 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 ○小寺雅子・高橋琢視・南幅 学（東芝） (11) 16:45 - 17:15 Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 ○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ） −−− 閉会の挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 基調講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月22日(月)～23日(火) 沖縄県青年会館 [12月8日(火)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月23日(金) 沖縄県青年会館 [2月26日(金)] テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 5月13日(木)～14日(金) 静岡大学（浜松キャンパス） [3月24日(水)] テーマ：結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 【問合先】 安斎 久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-mail: Hi     Ani   ny Last modified: 2009-12-17 00:36:25 |
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