2月5日(金) 午前
10:00 - 17:20 |
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10:00-10:05 |
開会の挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:50 |
［基調講演］三次元集積化技術の課題と展望 |
○小柳光正・福島誉史・李 康旭・田中 徹（東北大） |
| (2) |
10:50-11:20 |
耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 |
○林 喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス） |
| (3) |
11:20-11:50 |
EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 |
○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山 肇・田中雄介・河村大輔・隣 真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森 一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ） |
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11:50-13:00 |
休憩 （ 70分 ） |
| (4) |
13:00-13:30 |
Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 |
○興梠隼人（パナソニック）・千葉原宏幸（ルネサステクノロジ）・鈴木 繁・筒江 誠（パナソニック）・瀬尾光平（パナソニックセミコンダクターエンジニアリング）・岡 好浩・後藤欣哉・赤澤守昭・宮武 浩（ルネサステクノロジ）・松本 晋・上田哲也（パナソニック） |
| (5) |
13:30-14:00 |
CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発 |
○井口 学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝） |
| (6) |
14:00-14:30 |
低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 |
○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉 桂・柴田英毅（東芝） |
| (7) |
14:30-15:00 |
Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 |
○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ） |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (8) |
15:15-15:45 |
次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 |
○山道新太郎・森 健太郎・菊池 克・村井秀哉・大島大輔・中島嘉樹（NEC）・副島康志・川野連也（NECエレクトロニクス）・村上朝夫（NEC） |
| (9) |
15:45-16:15 |
低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 |
○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林 喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研） |
| (10) |
16:15-16:45 |
多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 |
○小寺雅子・高橋琢視・南幅 学（東芝） |
| (11) |
16:45-17:15 |
Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 |
○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ） |
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17:15-17:20 |
閉会の挨拶 （ 5分 ） |
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