7月16日(木) 午前
09:55 - 12:15 |
| (1) |
09:55-10:00 |
オープニング |
| (2) |
10:00-10:25 |
14GHzの帯域を持つ63GHz 36mW CMOS差動低雑音増幅器 |
○藤島 実・夏苅洋平（東大） |
| (3) |
10:25-10:50 |
A 100Mbps, 1.28mW Impulse Radio UWB Receiver with Charge-Domain Sampling Correlator in 0.18um CMOS |
○Lechang Liu・Takayasu Sakurai・Makoto Takamiya（Univ. of Tokyo） |
| |
10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
11:00-11:25 |
49mW 5Gbps CMOS 60GHz Pulse Receiver for Wireless Communication |
○Ahmet Oncu・Minoru Fujishima（Univ. of Tokyo.） |
| (5) |
11:25-11:50 |
レート保証型パケットバッファリング回路の低消費電力化技術 |
○財津和也（阪市大）・岩本 久・黒田泰斗・矢野祐二（ルネサステクノロジ）・山本耕次（ルネサスデザイン）・井上一成（ルネサステクノロジ）・阿多信吾・岡 育夫（阪市大） |
| (6) |
11:50-12:15 |
2.88Gbps UWBトランシーバの低消費電力化技術 |
○大島直樹・沼田圭市・児玉浩志・石川比呂夢・矢野仁之・田中昭生（NEC） |
| |
12:15-13:15 |
昼食 （ 60分 ） |
7月16日(木) 午後
13:15 - 16:15 |
| (7) |
13:15-14:00 |
［招待講演］CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題 |
○藤田 忍（東芝） |
| (8) |
14:00-14:25 |
0.5V動作DRAM用60pJ，立ち上がり時間3クロック，しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路 |
○田中丸周平・竹内 健（東大） |
| (9) |
14:25-14:50 |
データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ |
○矢島亮児・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） |
| |
14:50-15:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (10) |
15:00-15:25 |
(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 |
○陳 杰智・更屋拓哉・平本俊郎（東大） |
| (11) |
15:25-15:50 |
Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 |
○福留秀暢（富士通マイクロエレクトロニクス）・堀 陽子（富士通クオリティ・ラボ）・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通マイクロエレクトロニクス） |
| (12) |
15:50-16:15 |
微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン |
後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） |
7月17日(金) 午前
09:30 - 12:25 |
| (1) |
09:30-09:55 |
積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法の検討 |
○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (2) |
09:55-10:20 |
ユニバーサルメモリを目指した積層型NAND MRAMの検討 |
○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (3) |
10:20-11:05 |
［招待講演］ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術 |
○阪本利司・多田宗弘・辻 幸秀・伴野直樹・波田博光（NEC）・青野正和（物質・材料研究機構） |
| |
11:05-11:15 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
11:15-12:00 |
［招待講演］Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト |
○遠藤哲郎・羽生貴弘（東北大） |
| (5) |
12:00-12:25 |
低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ |
○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・久米 均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立） |
| |
12:25-13:25 |
昼食 （ 60分 ） |
7月17日(金) 午後
13:25 - 17:55 |
| (6) |
13:25-14:10 |
［招待講演］スピン機能MOSFETよる新しいエレクトロニクスの展開 |
○菅原 聡（東工大/JST） |
| (7) |
14:10-14:35 |
垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM |
○深見俊輔・鈴木哲広・永原聖万・大嶋則和（NEC）・尾崎康亮（NECエレクトロニクス）・齊藤信作・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・森 馨・五十嵐忠二・三浦貞彦・石綿延行・杉林直彦（NEC） |
| |
14:35-14:45 |
休憩 （ 10分 ） |
| (8) |
14:45-15:30 |
［招待講演］人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー |
○田原修一（NEC） |
| (9) |
15:30-16:15 |
［招待講演］グラフェンデバイスの開発と今後の展望 |
○尾辻泰一（東北大） |
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16:15-16:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (10) |
16:25-17:55 |
パネル討論 ”CMOSとBeyond CMOSの融合”
総合司会：平本俊郎 (東大)
パネラー：藤田忍(東芝)、菅原聡(東工大)、阪本利司(NEC)
田原修一(NEC)、遠藤哲郎(東北大)、尾辻泰一(東北大) |
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