12月5日(金) 午前 シリコン関連材料の作製と評価
10:30 - 16:30 |
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10:30-10:50 |
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果 |
○西 佑介・木本恒暢（京大） |
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10:50-11:10 |
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究 |
○松浦秀治・高橋美雪・小原一徳・山本和代・前田健寿・加川義隆（阪電通大） |
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11:10-11:30 |
エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング |
○龍頭啓充・尾崎良介・高岡義寛（京大） |
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11:30-11:50 |
アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動 |
高梨泰幸・部家 彰・○松尾直人・神田一浩（兵庫県立大） |
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11:50-13:15 |
昼食 （ 85分 ） |
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13:15-13:50 |
［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 |
○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
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13:50-14:10 |
バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 |
○入船裕行・矢野裕司・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大） |
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14:10-14:30 |
NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性 |
○大城ゆき・岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） |
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14:30-14:50 |
立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上 |
○南園悠一郎・吉岡裕典・登尾正人・須田 淳・木本恒暢（京大） |
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14:50-15:10 |
休憩 （ 20分 ） |
| (9) |
15:10-15:30 |
アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価 |
○山口正樹・大場友弘（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大） |
| (10) |
15:30-15:50 |
紫外線プラズマ照射によるSiO2/Si界面及びSi中の電気的特性変化 |
○滝内 芽・鮫島俊之（東京農工大） |
| (11) |
15:50-16:10 |
極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス |
長田光生・○芝原健太郎（広島大） |
| (12) |
16:10-16:30 |
F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 |
○今庄秀人・Hyun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） |
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