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★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 上村 喜一 (信州大) 副委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 幹事 豊田 誠治 (NTT)， 清水 英彦 (新潟大) 幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大)， 大庭 直樹 (NTT) 日時 2007年11月16日(金) 12：30～17：50 2007年11月17日(土) 09：00～15：55 会場 長岡技術科学大学（〒940-2188 新潟県長岡市上富岡町1603-1．JR長岡駅大手口７番線から技大前行き乗車にて約30分．http://www.nagaokaut.ac.jp/j/index.html．電気系 安井寛治．0258-47-9502） 議題 薄膜プロセス・材料、一般 11月16日(金) 午後 （12：30～17：50） (1) 12:30 - 12:55 Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析 ○毛利千里・小黒恭平・吉田 隆・富永隼賢・加藤孝弘・濱崎勝義（長岡技科大） (2) 12:55 - 13:20 Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価 ○吉田 隆・名和海明・富永隼賢・三輪 淳・加藤孝弘・濱崎勝義（長岡技科大）・島影 尚（NICT） (3) 13:20 - 13:45 RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性 ○テンクー ナズリン ビン テンクー イブラヒム・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） (4) 13:45 - 14:10 低温成膜したITO薄膜を用いた有機EL素子の検討 ○中田悠介・宮崎伸介・梅津 岳・伊藤嘉宏・二木雅斗・清水英彦・丸山武男（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）・皆川正寛（日本精機） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (5) 14:20 - 14:45 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価 ○朝野 章（長岡技科大）・片桐裕則（長岡高専）・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志（長岡技科大） (6) 14:45 - 15:10 スパッタビーム堆積法によるMo/Si多層薄膜の作製 ○長浜大作・愛甲隆史・平田 真・清水英彦・丸山武男・岡 徹雄・岩野春男（新潟大） (7) 15:10 - 15:35 2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO2薄膜の高速堆積 境 哲也・神谷 攻・○星 陽一（東京工芸大）・清水英彦（新潟大） (8) 15:35 - 16:00 ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数 ○岩坪 聡（富山県工技センター） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (9) 16:10 - 16:35 ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 ○武山真弓（北見工大）・中台保夫・神原正三（アルバックマテリアル）・畠中正信（アルバック）・野矢 厚（北見工大） (10) 16:35 - 17:00 ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御 武山真弓・○佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） (11) 17:00 - 17:25 サファイア基板及び白金電極上のCr2O3スパッタ薄膜の結晶成長 ○大月俊平・浅田 毅・岩田展幸・山本 寛（日大） (12) 17:25 - 17:50 ディップコートしたFeMo及びFePtナノ粒子触媒を用いたCVD法によるカーボンナノチューブの成長 ○石塚大祐・園村拓也・奥山博基・岩田展幸・山本 寛（日大） 11月17日(土) 午前 （09：00～15：55） (13) 09:00 - 09:25 ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ～ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ～ ○深田祐介・安部和貴・黒木雄一郎（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆（東北大）・成田 克（九工大）・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） (14) 09:25 - 09:50 モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe, SiCナノドットの形成と制御 ○荻原智明・須藤晴紀・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大） (15) 09:50 - 10:15 ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 ○牧野雄一郎・三浦仁嗣・西山 洋・安井寛治・高田雅介・井上泰宣・赤羽正志（長岡技科大） (16) 10:15 - 10:40 バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製 ○石田芳樹・陳 晨・萩原正宜・塩沢宏章・仙石 昌・林部林平・山上朋彦・上村喜一（信州大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (17) 10:50 - 11:15 Cu2ZnSnS4のバルク単結晶とゾル－ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性 ○宮本裕介・田中久仁彦・大貫雅俊・森竹典子・打木久雄（長岡技科大） (18) 11:15 - 11:40 ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製と評価 ○大貫雅俊・森竹典子・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） (19) 11:40 - 12:05 PCD法によるCu2ZnSnS4を用いた3Dセル構造の作製 ○森谷克彦・佐伯勇輔・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− (20) 13:15 - 13:40 PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価 ○金田亮平・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） (21) 13:40 - 14:05 Sn添加CaAl2S4の光学特性 ○太田 均・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） (22) 14:05 - 14:30 ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ～ 膜厚の制御 ～ ○上條和隆・小林敏志・坪井 望（新潟大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (23) 14:40 - 15:05 Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE ○Joel T. Asubar・Tadasuke Yokoyama・Yoshio Jinbo・Naotaka Uchitomi（Nagaoka Univ. of Tech.） (24) 15:05 - 15:30 強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果 ○中川久幸・ジョエル アスバル・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） (25) 15:30 - 15:55 Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価 ○豊田英之・安田武史・藤江周作（長岡技科大）・中村新一（青学大）・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） 一般講演（25）：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2008年1月17日(木)～18日(金) 機械振興会館 [11月14日(水)] テーマ：ＬＳＩシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般：特集テーマ 「チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価」（オーガナイザ：須藤俊夫先生（芝浦工業大学 ）） 2008年2月22日(金) 機械振興会館 [12月10日(月)] テーマ：電池技術関連，一般 【問合先】 清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E-mail:     eng  i  -u 竹村 泰司（横浜国立大学） TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151 E-mail:    y Last modified: 2007-09-21 03:53:49 |
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