1月11日(水) 午前
10:10 - 16:50 |
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10:10-10:15 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:15-10:40 |
Microwave Power Beaming Experiments in Tronto and Hawaii for the Solar Power Satellite |
○Nobuyuki Kaya・Masashi Iwashita（Kobe Univ.） |
| (2) |
10:40-11:05 |
マイクロ波帯における高損失誘電材料を用いた超薄型一層電波吸収体の基礎検討 |
○藤田敬人・津田祐己・安住壮紀・橋本 修（青学大）・和野隆司・福田佑紀（日東電工） |
| (3) |
11:05-11:30 |
結合線路と伝送線路の組み合わせによるCMOSプロセスの利用を想定したミリ波有極形LPF,HPF,BPFに関する一検討 |
○谷井宏成（電通大）・牧本三夫（サクラテック）・五十嵐貞男・福井邦明・小日向宏一（アールエフ・チップス・テクノロジー）・和田光司（電通大） |
| (4) |
11:30-11:55 |
多層型SIWデュアルモード共振器を利用した準ミリ波帯帯域通過フィルタの設計 |
○飛田和哉・馬 哲旺・大平昌敬（埼玉大） |
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11:55-13:00 |
昼食 （ 65分 ） |
| (5) |
13:00-13:25 |
ミリ波帯導波管／マイクロストリップライン変換器の広帯域化 |
○鈴木俊達・内海要三・森田 登・平栗健史（日本工大）・横田宗大・亀井利久（防衛大）・千野聖純・青木生朗・鈴木洋介（キーコム） |
| (6) |
13:25-13:50 |
ダイレクトサンプリングミキサ方式WLAN受信機の設計手法 |
○齊藤典昭・森下陽平・森田忠士（パナソニック） |
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13:50-14:05 |
休憩 （ 15分 ） |
| (7) |
14:05-14:30 |
フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード |
○望月和浩（日立）・野本一貴・畠山義智・片寄秀雄（法政大）・三島友義・金田直樹・土屋忠巌（日立電線）・寺野昭久・石垣隆士・土屋朋信・土屋龍太（日立）・中村 徹（法政大） |
| (8) |
14:30-14:55 |
広帯域増幅器のモデリング及び高調波歪み補償 |
○Nhu Quyen Duong・荒木純道（東工大）・山田貴之・加保貴奈・山口 陽（NTT） |
| (9) |
14:55-15:20 |
直交振幅変調信号を包絡線パルス幅変調した時のE級電力増幅器の歪補償 |
○藤岡翔太・楳田洋太郎（東京理科大）・田久 修（信州大） |
| (10) |
15:20-15:45 |
多段バランス型RF整流回路 |
○山田康太・荒川 孝・武田政宗・植村 順（マスプロ電工）・榊原久二男・菊間信良（名工大）・大平 孝（豊橋技科大） |
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15:45-16:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (11) |
16:00-16:50 |
［特別講演］単構造空間とベクトルポテンシャル |
○黒川兼行（元富士通研） |
1月12日(木) 午前
10:10 - 16:50 |
| (12) |
10:10-10:35 |
InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 |
○宮本恭幸・山田真之・内田 建（東工大） |
| (13) |
10:35-11:00 |
MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） |
| (14) |
11:00-11:25 |
0.5-um InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器 |
○長谷宗彦・野坂秀之・佐野公一・村田浩一・栗島賢二・井田 実（NTT） |
| (15) |
11:25-11:50 |
Components in 0.5-um-emitter-width InP-HBT Technology for High-Speed and Low-Power Applications |
○Yves Bouvier・Munehiko Nagatani・Kimikazu Sano・Koichi Murata・Kenji Kurishima・Minoru Ida（NTT） |
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11:50-12:50 |
昼食 （ 60分 ） |
| (16) |
12:50-13:15 |
微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 |
○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） |
| (17) |
13:15-13:40 |
Step-stress Reliability Studies on AlGaN/GaN HEMTs on Silicon with Buffer Thickness Dependence |
○Amalraj Frank Wilson・Akio Wakejima・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） |
| (18) |
13:40-14:05 |
AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 |
○畑野舞子・山崎 潤（福井大）・矢船憲成（シャープ）・徳田博邦（福井大）・山本喜之・橋本 信・秋田勝史（住友電工）・葛原正明（福井大） |
| (19) |
14:05-14:30 |
GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 |
○堀 祐臣・金 聖植（北大）・橋詰 保（北大/JST） |
| (20) |
14:30-14:55 |
P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード |
○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） |
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14:55-15:10 |
休憩 （ 15分 ） |
| (21) |
15:10-15:35 |
L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性 |
○菊池 憲・八巻史一・井上和孝（住友電工）・西 眞弘・生松 均・宇井範彦・蛯原 要・新田 敦（住友電工デバイス・イノベーション）・佐野征吾（住友電工） |
| (22) |
15:35-16:00 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 |
○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） |
| (23) |
16:00-16:25 |
X帯30W級高利得高効率小型電力増幅器の開発 |
○森谷 修・黒田健太・松下景一・副島知英・高木一考・高塚眞治（東芝） |
| (24) |
16:25-16:50 |
X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発 |
○西原 信・山本高史（住友電工デバイス・イノベーション）・水野慎也・佐野征吾（住友電工）・長谷川裕一（住友電工デバイス・イノベーション） |
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