10月30日(火) 午前
座長: 松澤 一也(東芝)
10:00 - 11:40 |
| (1) |
10:00-10:25 |
周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション |
○照沼知英・渡邉孝信・品田賢宏（早大）・鎌倉良成・谷口研二（阪大）・大泊 巌（早大） |
| (2) |
10:25-10:50 |
量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価 |
○森 隆志・東 祐介・土屋英昭（神戸大） |
| (3) |
10:50-11:15 |
粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション |
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也・鎌倉良成（阪大）・江崎達也（広島大） |
| (4) |
11:15-11:40 |
極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討 |
○三成英樹・西谷大祐・森 伸也（阪大） |
| |
11:40-13:00 |
昼食 （ 80分 ） |
10月30日(火) 午後
座長: 小田 嘉則(松下)
13:00 - 14:35 |
| (5) |
13:00-13:45 |
［招待講演］パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について |
○大村一郎（東芝） |
| (6) |
13:45-14:10 |
相変化メモリのリセット特性のモデリング |
○酒井 敦・園田賢一郎・茂庭昌弘・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） |
| (7) |
14:10-14:35 |
シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討 |
○辻井秀二・外園 明・藤原 実・川中 繁・東 篤志・青木伸俊・豊島義明（東芝） |
| |
14:35-15:00 |
休憩 （ 25分 ） |
10月30日(火) 午後
座長: 麻多 進(NECエレクトロニクス)
15:00 - 16:15 |
| (8) |
15:00-15:25 |
<110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 |
○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） |
| (9) |
15:25-15:50 |
Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析 |
○竹田 裕（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・羽根正巳（NEC） |
| (10) |
15:50-16:15 |
65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 |
○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大） |
10月31日(水) 午前
座長: 河野 一郎(ルネサステクノロジ)
10:00 - 11:40 |
| (11) |
10:00-10:25 |
照射時間を一定としたダイナミック光再構成型ゲートアレイの保持時間の解析 |
○瀬戸大作・渡邊 実（静岡大） |
| (12) |
10:25-10:50 |
マルチコンテキスト光再構成型ゲートアレイによる高速動的光再構成 |
○中島真央・渡邊 実（静岡大） |
| (13) |
10:50-11:15 |
コンテキスト重ね合わせによる高速光再構成 |
○山口直樹・渡邊 実（静岡大） |
| (14) |
11:15-11:40 |
相互透過係数の固有ベクトルを用いたホットスポット検出方法の検討 |
○吉川智史（富士通VLSI）・二谷広貴・千々松達夫・浅井 了（富士通） |
| |
11:40-13:00 |
昼食 （ 80分 ） |
10月31日(水) 午後
座長: 石浦 菜岐佐(関西学院大)
13:00 - 14:40 |
| (15) |
13:00-13:50 |
［招待講演］製造・環境ばらつきを考慮したタイミング検証技術 |
○橋本昌宜（阪大） |
| (16) |
13:50-14:15 |
インバータ，SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析 |
○田辺 亮・芦澤芳夫・岡 秀樹（富士通研） |
| (17) |
14:15-14:40 |
MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析 |
○安西邦夫・津野仁志・松村正雄・南 里江・樋浦洋平・竹尾 明・傅 頴詩・福崎勇三・菅野道博・長島直樹・安斎久浩（ソニー） |
| |
14:40-15:00 |
休憩 （ 20分 ） |
10月31日(水) 午後
座長: 安斎 久浩(ソニー)
15:00 - 16:15 |
| (18) |
15:00-15:25 |
微細CMOSアナログ小信号パラメータの簡易モデル |
黄田 剛・○大川眞一・増田弘生（ルネサステクノロジ） |
| (19) |
15:25-15:50 |
SOI‐MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化 |
○村上貴洋・安藤 慎・貞近倫夫（広島大）・吉田隆樹（NEC情報システムズ）・三浦道子（広島大） |
| (20) |
15:50-16:15 |
微細CMOSアナログ回路のミスマッチモデリングの動向 |
○増田弘生・黄田 剛・大川眞一（ルネサステクノロジ） |
:
e
t
n-u
,a
ee
-u