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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 葛原 正明 (福井大) 副委員長 橋詰 保 (北大) 幹事 高谷 信一郎 (日立)， 新井 学 (新日本無線) 幹事補佐 原 直紀 (富士通研)， 村田 浩一 (NTT) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 上村 喜一 (信州大) 副委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 幹事 豊田 誠治 (NTT)， 清水 英彦 (新潟大) 幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大)， 大庭 直樹 (NTT) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 浅野 種正 (九大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通) 幹事 川中 繁 (東芝)， 安斎 久浩 (ソニー) 幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大) 日時 2008年 5月15日(木) 13：00～17：05 2008年 5月16日(金) 09：00～15：55 会場 名古屋工業大学（〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町．中央本線「鶴舞」下車（名大病院口)徒歩約７分．http://www.nitech.ac.jp/．名古屋工業大学 曽我哲夫．052-735-5532） 議題 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 5月15日(木) 午後 （13：00～17：05） (1) 13:00 - 13:25 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜生成へのドーナツ円板の効果 ○細川貴之・中村功一・細江俊介・酒井 里・以西雅章（静岡大） (2) 13:25 - 13:50 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成 ○中村功一・細川貴之・酒井 里・細江俊介・以西雅章（静岡大） (3) 13:50 - 14:15 ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価 ○山田典史・板倉巧周・倉地雄史・以西雅章（静岡大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (4) 14:25 - 14:50 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価 ○倉地雄史・板倉功周・山田典史・以西雅章（静岡大） (5) 14:50 - 15:15 RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜の生成 ○堀内郁志・以西雅章（静岡大） (6) 15:15 - 15:40 RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜の生成 ○遠藤立弥・水地裕一・以西雅章（静岡大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (7) 15:50 - 16:15 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） (8) 16:15 - 16:40 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価 ○松野文弥・畠中 奨・中西快之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） (9) 16:40 - 17:05 An ultrasonic method for synthesis of ZnO nanostructure on glass substrates ○Kasimayan Uma・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.） 5月16日(金) 午前 （09：00～15：55） (10) 09:00 - 09:25 Synthesis of single walled carbon nanotubes using Ultrasonic nebulizer ○Ishwor Khatri・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.） (11) 09:25 - 09:50 Growth of cupric oxide nanostructure by thermal oxidation of copper ○Jien-Bo Liang・Kasimayan Uma・Tetsuo Soga・Takashi Jimbo（Nagoya Inst. of Tech.） (12) 09:50 - 10:15 AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (13) 10:25 - 10:50 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析 ○森 俊晶・浅井俊晶・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤さき 勇（名城大） (14) 10:50 - 11:15 p型GaNゲートノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧 ○根賀亮平・水野克俊・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） (15) 11:15 - 11:40 Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性 ○広森公一・石川博康・十倉史行・嶋中啓太・森 直人・森本智彦（名工大） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− (16) 12:50 - 13:15 温度差法を用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長 ○手嶋康将・鈴木堅志郎・成塚重弥・丸山隆浩（名城大） (17) 13:15 - 13:40 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係 ○前多悠也・金 秀光・谷奥雅俊・渕 真悟・宇治原 徹・竹田美和・山本尚人・真野篤志・中川靖英・山本将博・奥見正治・中西 彊（名大）・坂 貴（大同工大）・堀中博道（阪府大）・加藤俊宏（大同特殊鋼） (18) 13:40 - 14:05 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I) ○渡邊彰伸・甲斐康寛・山田 航・市橋 果・米山知宏・加藤大祐・松本和也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） (19) 14:05 - 14:30 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II) ○市橋 果・山田 航・甲斐康寛・渡邊彰伸・中西智哉・岡 寛樹・仲島 甫・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (20) 14:40 - 15:05 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 ○小野英則・小川和也・加藤正史・市村正也（名工大） (21) 15:05 - 15:30 マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） (22) 15:30 - 15:55 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大） 一般講演（25）：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月13日(金)～14日(土) 金沢大学 角間キャンパス [4月14日(月)] テーマ：半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） 7月9日(水)～11日(金) かでる２・７（札幌） [4月25日(金)] テーマ：第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 8月4日(月)～5日(火) 静岡大学浜松キャンパス [5月21日(水)] テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 【問合先】 新井 学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-mail:   i njr 高谷 信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-mail:    crl   村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-mail：  aecl 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-4337 E-mail :   nf    ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月27日(金) 機械振興会館 [4月23日(水)] テーマ：材料デバイスサマーミーティング 8月4日(月) (開催日変更) 室蘭工業大学 [6月24日(火)] テーマ：電子部品・材料，一般 8月28日(木)～29日(金) 東北大学 [6月13日(金)] テーマ：光・電子デバイス実装，デバイス技術，及び一般 【問合先】 清水英彦（新潟大学） TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E-mail:    engi -u 竹村 泰司（横浜国立大学） TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151 E-mail:  y ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月9日(月)～10日(火) 東京大学(生産研 An棟) [4月15日(火)] テーマ：ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） 7月9日(水)～11日(金) かでる２・７（札幌） [4月25日(金)] テーマ：第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 7月17日(木)～18日(金) 機械振興会館 [5月16日(金)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 川中繁 (東芝) TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104 ge    baLast modified: 2008-03-26 02:00:01 |
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