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★集積回路研究会（ICD）
専門委員長　内山邦男 (日立)　　副委員長　吉本雅彦 (神戸大)，濱崎利彦 (日本TI)
幹事　広瀬佳生 (富士通研)，鈴木弘明 (ルネサステクノロジ)
幹事補佐　松岡俊匡 (阪大)，竹内健 (東大)，岡田健一 (東工大)

日時　2011年 4月18日(月)　10：00～18：55
　　　2011年 4月19日(火)　09：30～16：40

会場神戸大学瀧川記念館（〒657-8501 神戸市灘区六甲台町 1-1．阪急「六甲」駅から約15～20分、バス：阪神「御影」駅、JR「六甲道」駅、阪急「六甲」駅から神戸市バス36系統鶴甲団地行、鶴甲2丁目止まり行き乗車「神大文理農学部前」下車、タクシー阪神「御影」駅より約15～20分, JR「六甲道」駅より約10～15分,阪急「六甲」駅より約5～10分．http://www.kobe-u.ac.jp/info/access/rokko/rokkodai-dai2.htm．神戸大学川口博．078-803-6628）

議題メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術

4月18日(月) 午前不揮発性メモリ（10：00～12：30）

(1) 10:00 - 10:50
［招待講演］スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術
○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大）

(2) 10:50 - 11:40
［招待講演］NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術
○高島大三郎・野口充宏・柴田　昇・神田和重・助川　博・藤井秀壮（東芝）

(3) 11:40 - 12:30
［招待講演］高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ～ Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput ～
○筒井敬一・大塚　渉・宮田幸児・北川　真・対馬朋人（ソニー）

−−−　昼食　（ 60分）　−−−

4月18日(月) 午後 4月18日(月) 午後不揮発性メモリ（13：30～18：55）

(1) 13:30 - 14:20
［招待講演］24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発
○福田浩一・渡辺慶久・牧野英一・川上浩一・佐藤順平・高際輝男・金川直晃・志賀　仁・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭・小川武志・岩井　信（東芝）・櫻井清史（東芝メモリシステムズ）・三輪　達（サンディスク）

(2) 14:20 - 15:10
［招待講演］高信頼・低電力SSD ～メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化～
○竹内　健・田中丸周平・洪　慶麟（東大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(3) 15:20 - 16:10
［招待講演］相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動
○高浦則克（超低電圧デバイス技研組合）

(4) 16:10 - 17:00
［招待講演］三次元NANDフラッシュメモリ
○有留誠一（ハイニックス）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(5) 17:10 - 18:55
パネル討論：ストレージメモリの未来
オーガナイザ宮野信治氏（STARC）
モデレータ高島大三郎氏（東芝）

パネリスト：
筒井敬一氏（SONY）、
竹内健先生（東大）、
粟屋信義氏（シャープ）、
高浦則克氏（LEAP）、
井上裕文氏（東芝）、
有留誠一氏（Hynix）

パネル概要：
ストレージメモリ用途のメモリとして、現在はNAND Flash Memoryが主として使われているが、今後の高集積化の方向性については種々の提案がなされている。
一方で、ReRAM，PRAMといった新しいメモリにおいてもストレージメモリ分野の応用を目指して開発がすすめられている。本パネルでは、NAND、ReRAM、PRAM各分野の一線の研究者が未来のストレージメモリについて議論する。

4月19日(火) 午前 SRAM （09：30～12：10）

(1) 09:30 - 09:55
[依頼講演]しきい値ばらつき耐性を有する0.45V動作9T/18TデュアルポートSRAM
○柳田晃司・野口紘希・奥村俊介・高木智也・久賀田耕史（神戸大）・吉本雅彦（神戸大/JST）・川口　博（神戸大）

(2) 09:55 - 10:20
[依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路
○仁木祐介・川澄　篤・鈴木　東・武山泰久・平林　修・櫛田桂一・橘　文彦・藤村勇樹・矢部友章（東芝）

(3) 10:20 - 10:45
[依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式
○武田晃一・斉藤寿男・朝山　忍・相本代志治・小畑弘之・伊藤信哉・高橋寿史・竹内　潔・野村昌弘・林　喜宏（ルネサスエレクトロニクス）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(4) 10:55 - 11:20
[依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM
○大内真一・遠藤和彦・柳　永シュン・松川　貴・中川　格・石川由紀・塚田順一・山内洋美・関川敏弘・小池汎平・坂本邦博・昌原明植（産総研）

(5) 11:20 - 11:45
[依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM
○鈴木利一・森脇真一・川澄　篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）

(6) 11:45 - 12:10
局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制
○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内　健（東大）

−−−　昼食　（ 60分）　−−−

4月19日(火) 午後 3次元メモリ・インターフェース（13：10～14：50）

(7) 13:10 - 14:00
［招待講演］結合伝送線路を用いた12Gb/s非接触インタフェース
○竹谷　勉・Lan Nan・中野慎也・三浦典之・石黒仁揮・黒田忠広（慶大）

(8) 14:00 - 14:25
[依頼講演]3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ
○小埜和夫・柳川善光・小田部　晃・関口知紀（日立）

(9) 14:25 - 14:50
[依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討
○畑中輝義・上口　光・石田光一・安福　正・高宮　真・桜井貴康・竹内　健（東大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

4月19日(火) 午後不揮発性メモリ（15：00～16：40）

(10) 15:00 - 15:25
HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性
○鶴田茂之・木下健太郎・中林竜也・岸田　悟（鳥取大）

(11) 15:25 - 15:50
原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析
○依田貴稔・木下健太郎・岸田　悟（鳥取大）・荻原俊弥・岩井秀夫・福島　整・田沼繁夫（物質・材料研究機構）

(12) 15:50 - 16:15
ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム
○花田明紘・木下健太郎・松原勝彦・福原貴博・岸田　悟（鳥取大）

(13) 16:15 - 16:40
二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析
○田中隼人・木下健太郎・岸田　悟（鳥取大）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter

◎１日目のパネル討論終了後に懇親会を企画しますので、併せてご予定下さい。

☆ICD研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

5月16日(月)～18日(水)　北九州国際会議場　[3月11日(金)]　テーマ：LSIとシステムのワークショップ
7月21日(木)～22日(金)　広島工業大学　[5月20日(金)]　テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路

【問合先】
竹内健 (東京大学)
TEL 03-5841-6672,FAX 03-5841-6672
E-mail:icd-