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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 品田 高宏 (東北大) 副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ) 幹事 池田 浩也 (静岡大)， 諸岡 哲 (東芝メモリー) 幹事補佐 森 貴洋 (産総研)， 小林 伸彰 (日大) 日時 2019年10月23日(水) 13：30～17：10 2019年10月24日(木) 09：30～16：40 会場 東北大学未来情報産業研究館５F大会議室（〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10．地下鉄東西線青葉山駅から徒歩1分．http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp） 議題 プロセス科学と新プロセス技術 10月23日(水) 午後 （13：30～17：10） (1) 13:30 - 14:20 ［招待講演］プラズマを用いた原子層エッチング(ALE) ○熊倉 翔・木原嘉英・本田昌伸（東京エレクトロン宮城） (2) 14:20 - 14:50 Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） (3) 14:50 - 15:20 The investigation of interface property of N-doped LaB6/SiO2/Si(100) stack structure by increasing deposition temperature ○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (4) 15:40 - 16:10 Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） (5) 16:10 - 16:40 A study on the EOT scaling of the Hf-based MONOS non-volatile memory characteristics utilizing HfON tunneling layer ○Jooyoung Pyo・Yusuke Horiuchi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） (6) 16:40 - 17:10 多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討 ○堀内勇介・表 柱栄・大見俊一郎（東工大） 10月24日(木) 午前 （09：30～16：40） (7) 09:30 - 10:20 ［招待講演］NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes ○Linghan Chen・Junichi Koike・Daisuke Ando・Yuji Sutou（Tohoku Univ.） (8) 10:20 - 10:50 ［依頼講演］Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響 ○城戸光一・佐藤 謙・黒田理人・安藤大輔・須藤祐司・小池淳一（東北大） (9) 10:50 - 11:20 Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） −−− 昼食 （ 100分 ） −−− (10) 13:00 - 13:50 ［招待講演］ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術 ○葛西誠也・呂 任鵬・清水克真・殷 翔（北大）・上羽陽介・石川幹雄・北村 満（大日本印刷）・法元盛久（産総研）・成瀬 誠（東大）・松本 勉（横浜国大） (11) 13:50 - 14:20 新しい圧電材料BiFeO3の薄膜形成技術と基板依存性 ○今泉文伸・仲田陸人（小山高専） (12) 14:20 - 14:50 超高感度トンネル磁気抵抗センサの開発 ○大兼幹彦（東北大） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (13) 15:10 - 15:40 次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム ○前田 健・大村裕弥・黒田理人・寺本章伸・諏訪智之・須川成利（東北大） (14) 15:40 - 16:10 高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測 ○髙橋圭吾・Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva・黒田理人・藤原康行・村田真麻・石井秀和・森本達郎・諏訪智之・寺本章伸・須川成利（東北大） (15) 16:10 - 16:40 高速ビデオカメラを用いたマグネトロンスパッタリングプラズマの揺動現象の観察 ○山崎森太郎・後藤哲也・鈴木 学・黒田理人・須川成利（東北大） 一般講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分 ◎初日23日(水)の研究会終了後に、懇親会を予定しておりますので、ぜひ御参加ください。 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月7日(木)～8日(金) 機械振興会館 [9月2日(月)] テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 12月24日(火) 奈良先端大(物質領域 大講義室） [10月27日(日)] テーマ：半導体材料プロセス・デバイス研究会 2020年1月28日(火) 機械振興会館 [未定] テーマ：先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 【問合先】 諸岡 哲(東芝メモリ) Tel 059-390-7451 Fax 059-361-2739 E-mail:          ba Last modified: 2019-08-26 18:34:58 |
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