| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催プログラム |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップ | 戻る | 前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
|
★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 浅野 種正 (九大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通) 幹事 川中 繁 (東芝)， 安斎 久浩 (ソニー) 幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大) 日時 2007年10月 4日(木) 13：00～17：20 2007年10月 5日(金) 09：30～16：40 会場 東北大学 未来科学技術共同研究センター（980-8579 仙台市青葉区荒巻字青葉６－６－１０．仙台駅バスプール9番より、「工学部経由動物公園循環」、「宮教大」もしくは「青葉台」行きに乗ってください。最寄のバス停は、「情報科学研究科前」です。http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/ja/index.php?%5B%5BMap%5D%5D．未来科学技術共同研究センター 寺本章伸．022-795-3977） 議題 プロセス科学と新プロセス技術 10月4日(木) 午後 （13：00～17：20） (1) 13:00 - 13:25 プラズマディスプレイ用MgO保護膜の構造破壊ダイナミクスと理論設計 ○久保百司・芹澤和実・菊地宏美・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傅（広島大）・宮本 明（東北大） (2) 13:25 - 13:50 分子動力学法によるMgOの力学的特性の予測 ○大沼宏彰・芹澤和実・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傅（広島大）・宮本 明（東北大） (3) 13:50 - 14:15 計算化学によるプラズマディスプレイ用MgO保護膜の電子放出特性の評価 ○芹澤和実・大沼宏彰・菊地宏美・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傳（広島大）・宮本 明（東北大） (4) 14:15 - 14:40 新規計算化学手法を用いたDLCの摩擦特性解析 ○森田祐輔・敖敦其木格・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大） (5) 14:40 - 15:05 Influence of Chemical Topology on the Electrical Properties of Carbon Black – A Theoretical Study ○Arunabhiram Chutia・Zhigang Zhu・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (6) 15:15 - 15:40 Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM ○Shigemi Murakawa（Tokyo Electron/Tohoku Univ.）・Masashi Takeuchi・Minoru Honda・Shu-ichi Ishizuka・Toshio Nakanishi・Yoshihiro Hirota・Takuya Sugawara・Yoshitsugu Tanaka・Yasushi Akasaka（Tokyo Electron AT）・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） (7) 15:40 - 16:05 マルチスケールトンネル電流シミュレータの開発 ○坪井秀行・芹澤和実・鈴木 愛・サヌーン リアド・古山通久・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・デルカルピオ カルロス（東北大）・梶山博司・篠田 傳（広島大）・宮本 明（東北大） (8) 16:05 - 16:30 Development of Multi-Scale Electrical Conductivity Simulator with the Joule Heating Module and its Application to Polycrystalline SiO2 ○John Paul Yacapin・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） (9) 16:30 - 16:55 ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討 ○仲野雄介・佐藤雅樹・大見俊一郎（東工大） (10) 16:55 - 17:20 機械的歪み印加によるSrTiO3MIMキャパシタ誘電率変調 ○黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） 10月5日(金) 午前 （09：30～16：40） (11) 09:30 - 09:55 Theoretic Study of Electronic and Electrical Properties for Nano-Structural ZnO ○Zhigang Zhu・Arunabhiram Chutia・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Carlos A. Del Carpio・Momoji Kubo・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） (12) 09:55 - 10:20 Tight-Binding Quantum Chemical Molecular Dynamics Study on Interfacial Electron Transfer in Dye-Sensitized Anatase (001) Surface ○Chen Lv・Agalya Govindasamy・Kei Ogiya・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） (13) 10:20 - 10:45 量子分子動力学法によるダイヤモンドライクカーボン膜生成過程の検討 ○敖敦其木格・森田祐輔・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (14) 10:55 - 11:20 低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討 ○石川 拓（東京エレクトロン技研/東北大）・野沢俊久・松岡孝明（東京エレクトロン技研）・寺本章伸・平山昌樹・伊藤隆司・大見忠弘（東北大） (15) 11:20 - 11:45 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発 ○鈴木克昌・石原良夫・迫田 薫（大陽日酸）・白井泰雪・平山昌樹・寺本章伸・大見忠弘（東北大）・渡辺高行（宇部マテリアルズ） (16) 11:45 - 12:10 色素増感型太陽電池のためのマルチスケールシミュレータの開発 ○扇谷 恵・呂 晨・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (17) 13:10 - 13:35 マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作 ○廣江昭彦・寺本章伸・大見忠弘（東北大） (18) 13:35 - 14:00 High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces ○Weitao Cheng・Akinobu Teramoto・Rihito Kuroda・Chingfoa Tye・Syunichi Watabe・Tomoyuki Suwa・Tetsuya Goto・Fuminobu Imaizumi・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） (19) 14:00 - 14:25 SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討 ○野武幸輝・須田雄一郎・大見俊一郎（東工大） (20) 14:25 - 14:50 Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御 ○大見俊一郎・高 峻・仲野雄介（東工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (21) 15:00 - 15:25 シリコン表面の原子オーダー平坦化技術 ○諏訪智之・黒田理人・寺本章伸・大見忠弘（東北大） (22) 15:25 - 15:50 LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 ○遠藤誠一・丸山祥輝・川崎洋司・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ） (23) 15:50 - 16:15 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○阿部健一・須川成利・黒田理人・渡部俊一・寺本章伸・大見忠弘（東北大） (24) 16:15 - 16:40 プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価 ○渡部俊一・須川成利・阿部健一・藤澤孝文・宮本直人・寺本章伸・大見忠弘（東北大） 一般講演（25）：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎10月4日研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月30日(火)～31日(水) 機械振興会館 [8月10日(金)] テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 11月16日(金) 中央電気倶楽部 [9月20日(木)] テーマ：半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 12月14日(金) 奈良先端科学技術大学院大学 [10月12日(金)] テーマ：シリコン関連材料の作製と評価 2008年1月24日(木) 機械振興会館 [未定] テーマ：IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術） 2008年1月30日(水)～31日(木) 北海道大学 [11月9日(金)] テーマ：機能ナノデバイスとおよび関連技術 【問合先】 西岡泰城（日本大学理工学部 精密機械工学科） TEL047-469-6482,FAX047-467-9504 E-mail:     e   t n-u ,a  cmsk  Last modified: 2007-08-12 14:46:13 |
ご注意： 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております．ご了承ください．
[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
[研究会発表・参加方法，FAQ] ※ ご一読ください
[SDM研究会のスケジュールに戻る] /
| トップ | 戻る | 前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]