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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　原直紀 (富士通研)　　副委員長　前澤宏一 (富山大)
幹事　葛西誠也 (北大)，松永高治 (NEC)
幹事補佐　鈴木寿一 (北陸先端大)，新井学 (新日本無線)

日時　2014年 8月 1日(金)　10：30～16：40

会場機械振興会館B3-1室（http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/index.html）

議題半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般

8月1日(金) 午前（10：30～12：10）

(1) 10:30 - 11:20
［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術
○高橋　剛・佐藤　優・中舍安宏・芝　祥一・原　直紀・岩井大介（富士通研）

(2) 11:20 - 11:45
GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証
○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大）

(3) 11:45 - 12:10
貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原　紳介・遠藤　聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）

−−−　休憩　（ 80分）　−−−

8月1日(金) 午後（13：30～16：40）

(4) 13:30 - 14:20
［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造
○宮本恭幸・金澤　徹・米内義晴・加藤　淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大）

(5) 14:20 - 14:45
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）

(6) 14:45 - 15:10
GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善
○竹内克彦・谷口　理・柳田将志（ソニー）・佐々木有司・中村光宏（ソニーセミコンダクタ）・和田伸一（ソニー）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(7) 15:25 - 15:50
シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブＴＦＴの作製
○遠藤浩幸・殿内規之・二瓶史行（NEC）・関谷　毅・染谷隆夫（東大）

(8) 15:50 - 16:15
Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット
○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄　文海・ダイワシガマニキルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT）

(9) 16:15 - 16:40
硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析
○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司（住友電工）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

10月21日(火)～22日(水) (予定)　北大エンレイソウ　[8月15日(金)]　テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術
11月27日(木)～28日(金)　大阪大学吹田キャンパス理工学図書館　[9月15日(月)]　テーマ：窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般

【問合先】
上田哲三（パナソニック)
TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426
E-mail：