8月1日(金) 午前 10:30 - 12:10 |
(1) |
10:30-11:20 |
[招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 |
○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介(富士通研) |
(2) |
11:20-11:45 |
GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 |
○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸(東工大) |
(3) |
11:45-12:10 |
貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 |
○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵(東京理科大)・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史(NICT)・藤代博記(東京理科大) |
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12:10-13:30 |
休憩 ( 80分 ) |
8月1日(金) 午後 13:30 - 16:40 |
(4) |
13:30-14:20 |
[招待講演]低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 |
○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水(東工大) |
(5) |
14:20-14:45 |
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 |
○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記(東京理科大) |
(6) |
14:45-15:10 |
GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善 |
○竹内克彦・谷口 理・柳田将志(ソニー)・佐々木有司・中村光宏(ソニーセミコンダクタ)・和田伸一(ソニー) |
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15:10-15:25 |
休憩 ( 15分 ) |
(7) |
15:25-15:50 |
シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブTFTの作製 |
○遠藤浩幸・殿内規之・二瓶史行(NEC)・関谷 毅・染谷隆夫(東大) |
(8) |
15:50-16:15 |
Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット |
○上村崇史(NICT)・佐々木公平(タムラ)・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ(NICT)・倉又朗人(タムラ)・増井建和(光波)・山越茂伸(タムラ)・東脇正高(NICT) |
(9) |
16:15-16:40 |
硬X線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 |
○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司(住友電工) |