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12:30-12:40 |
開会のあいさつ （ 10分 ） |
4月13日(月) 午後
12:40 - 15:20 |
| (1) |
12:40-13:30 |
［招待講演］FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM |
○滋賀秀裕・高島大三郎・白武慎一郎・穂谷克彦・宮川 正・荻原 隆・福田 良・滝澤亮介・初田幸輔・松岡史宜・長冨 靖・橋本大輔・西村久明・日岡 健・堂前須弥子（東芝） |
| (2) |
13:30-14:20 |
［招待講演］大容量DRAMの技術動向とサブ1V-DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式 |
○秋山 悟・関口知紀・竹村理一郎・小田部 晃・伊藤清男（日立） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (3) |
14:30-15:20 |
［招待講演］MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発 |
○杉林直彦・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・斉藤信作（NEC）・伊藤雄一（NECエレクトロニクス）・三浦貞彦・加藤有光・森 馨（NEC）・尾崎康亮・小林洋介（NECエレクトロニクス）・大嶋則和・木下啓藏・鈴木哲広・永原聖万（NEC） |
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15:20-15:40 |
休憩 （ 20分 ） |
4月13日(月) 午後
15:40 - 18:00 |
| (4) |
15:40-18:00 |
［パネル討論］低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か? |
○日高秀人（ルネサステクノロジ）・山岡雅直（日立）・宮野信冶（東芝）・秋山 悟（日立）・杉林直彦（NEC）・川嶋将一郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・尾坂匡隆（パナソニック） |
4月14日(火) 午前
10:15 - 11:30 |
| (5) |
10:15-10:40 |
[依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM |
○藤村勇樹・平林 修・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・櫛田桂一・佐々木貴彦・片山 明・深野 剛・中里高明・志津木 康・串山夏樹・矢部友章（東芝） |
| (6) |
10:40-11:05 |
カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM |
○吉本秀輔・井口友輔・奥村俊介・藤原英弘・野口紘希（神戸大）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） |
| (7) |
11:05-11:30 |
7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造 |
○奥村俊介・藤原英弘・井口友輔・野口紘希・川口 博（神戸大）・吉本雅彦（神戸大/JST） |
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11:30-13:00 |
昼食 （ 90分 ） |
4月14日(火) 午後
13:00 - 14:15 |
| (8) |
13:00-13:50 |
［招待講演］NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ |
○二山拓也・藤田憲浩・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭（東芝）・亀井輝彦・那須弘明（サンディスク）・岩井 信・加藤光司・福田康之・金川直晃・安彦尚文（東芝）・松本雅英（サンディスク）・姫野敏彦・橋本寿文（東芝） |
| (9) |
13:50-14:15 |
[依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー |
○本間充祥（東芝）・Cuong Trinh（サンディスク）・柴田 昇・中野 威・小川幹雄・佐藤順平・竹山嘉和・磯部克明（東芝）・Binh Le・Farookh Moogat・Nima Mokhlesi・Kenji Kozakai・Patrick Hong・Teruhiko Kamei（サンディスク）・岩佐清明（東芝） |
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14:15-14:35 |
休憩 （ 20分 ） |
4月14日(火) 午後
14:35 - 16:15 |
| (10) |
14:35-15:25 |
［招待講演］三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路 |
○安福 正・石田光一（東大）・宮本晋示・中井弘人（東芝）・高宮 真・桜井貴康・竹内 健（東大） |
| (11) |
15:25-15:50 |
積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討 |
○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (12) |
15:50-16:15 |
スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの設計法の検討 |
○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） |
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16:15-16:20 |
閉会のあいさつ （ 5分 ） |
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、（TEL 022-263-6712 FAX 022-263-6693）
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