11月13日(木) 午後
13:00 - 16:00 |
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13:00-13:10 |
イントロダクトリー・トーク 小田中紳二（阪大） （ 10分 ） |
| (1) |
13:10-14:00 |
［招待講演］【招待講演】先端システムLSIにおけるアナログ回路設計 |
○道正志郎・崎山史朗・森江隆史・松川和生（松下電器） |
| (2) |
14:00-14:50 |
［招待講演］ミリ波CMOS回路設計とデバイスモデリング |
○藤島 実（東大） |
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14:50-15:10 |
休憩 （ 20分 ） |
| (3) |
15:10-15:35 |
13.75ns高速ホログラム光再構成 |
○中島真央・渡邊 実（静岡大） |
| (4) |
15:35-16:00 |
大規模光再構成型ゲートアレイにおけるホログラムメモリの不良耐性 |
○瀬戸大作・渡邊 実（静岡大） |
11月14日(金) 午前
10:00 - 11:40 |
| (5) |
10:00-10:25 |
次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) ～ 強安定収束シミュレータの開発 ～ |
○桜井清吾・朱 日明・佐藤昌宏・山口 憲（アドバンスソフト） |
| (6) |
10:25-10:50 |
次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(2) ～ 立体構造の容易生成と高品質メッシュシステム ～ |
○朱 日明・佐藤昌宏・桜井清吾・山口 憲（アドバンスソフト） |
| (7) |
10:50-11:15 |
時間依存デバイスシミュレーションのための量子ドリフト‐拡散モデルの離散化手法 |
○島田知子・小田中紳二（阪大） |
| (8) |
11:15-11:40 |
ナノスケールSOI MOFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討 ～ バンド非放物線性モデルの修正と検証 ～ |
○京兼大輔・大村泰久（関西大） |
11月14日(金) 午後
13:00 - 17:05 |
| (9) |
13:00-13:50 |
［招待講演］LDMOSのデバイスモデリングと回路設計 ～ 回路設計に必要なデバイスモデリングとは ～ |
○渡辺博文・根来宝昭（リコー） |
| (10) |
13:50-14:40 |
［招待講演］[招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 |
○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
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14:40-15:00 |
休憩 （ 20分 ） |
| (11) |
15:00-15:25 |
ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響 |
○鎌倉良成・ミリニコフ ゲナディ・森 伸也（阪大）・江崎達也（広島大） |
| (12) |
15:25-15:50 |
極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション |
○三成英樹・西谷大祐・森 伸也（阪大） |
| (13) |
15:50-16:15 |
フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析 |
○両角直人・名取研二（筑波大） |
| (14) |
16:15-16:40 |
シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション |
○山田吉宏・土屋英昭・小川真人（神戸大） |
| (15) |
16:40-17:05 |
第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 |
○前川忠史・山内恒毅・原 孟史・土屋英昭・小川真人（神戸大） |
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