6月21日(水) 午後
13:00 - 17:40 |
| (1) |
13:00-13:25 |
MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価 |
○日野史郎・畑山智裕・徳光永輔（東工大）・三浦成久・大森達夫（三菱電機） |
| (2) |
13:25-13:50 |
HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析 |
○中川 博・大田晃生・安部浩透・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
光電子分光法によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価 |
○古川寛章・多比良昌弘・大田晃生・中川 博・村上秀樹・宮崎誠一（広島大）・米田賢司・堀川貢弘・小山邦明・三宅秀治（エルピーダメモリ） |
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14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
14:30-14:55 |
La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 |
○佐合寿文・世古明義・坂下満男・酒井 朗・小川正毅・財満鎭明（名大） |
| (5) |
14:55-15:20 |
低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 |
○上殿明良・大塚 崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山 聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上 |
○嶋本泰洋（日立）・由上二郎・井上真雄・水谷斉治・林 岳・米田昌弘（ルネサステクノロジ） |
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15:45-16:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (7) |
16:00-16:25 |
金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 |
○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） |
| (8) |
16:25-16:50 |
NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 |
○吉永博路・東 大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大） |
| (9) |
16:50-17:15 |
シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術 |
○森永 均・島岡健治・大見忠弘（東北大） |
| (10) |
17:15-17:40 |
フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元 |
松村貴志・三浦篤志・○浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・吉井重雄・山下一郎（松下電器） |
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17:40-18:00 |
休憩 （ 20分 ） |
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18:00-19:30 |
懇親会（立食形式：参加希望者は、当日受付にて会費をお支払い下さい。） （ 90分 ） |
6月22日(木) 午前
09:00 - 15:55 |
| (11) |
09:00-09:25 |
Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い ～ リアルタイム光電子分光測定から ～ |
○末光眞希・加藤 篤・富樫秀晃・今野篤史（東北大）・寺岡有殿・吉越章隆（原子力機構）・成田 克（九工大） |
| (12) |
09:25-09:50 |
Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性 |
○桧山 晋・王 俊利・加藤孝義・平野智之・田井香織・岩元勇人（ソニー） |
| (13) |
09:50-10:15 |
直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 |
○樋口正顕（東北大）・品川誠治（武蔵工大）・寺本章伸（東北大）・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（東北大/武蔵工大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・須川成利・大見忠弘（東北大） |
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10:15-10:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (14) |
10:30-10:55 |
角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析 |
○豊田智史・岡林 潤・尾嶋正治（東大）・劉 国林・劉 紫園・池田和人・臼田宏治（半導体理工学研究センター） |
| (15) |
10:55-11:20 |
窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム |
○松下大介・村岡浩一・中崎 靖・加藤弘一・菊地祥子・佐久間 究・三谷祐一郎・高柳万里子・江口和弘（東芝） |
| (16) |
11:20-11:45 |
極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響 |
○三谷祐一郎・佐竹秀喜（東芝） |
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11:45-12:45 |
昼食 （ 60分 ） |
| (17) |
12:45-13:10 |
HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成 |
○大見俊一郎・黒瀬朋紀・佐藤雅樹（東工大） |
| (18) |
13:10-13:35 |
酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 |
趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
| (19) |
13:35-14:00 |
HfO2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果 |
○高橋憲彦・山崎隆浩・金田千穂子（富士通研） |
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14:00-14:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (20) |
14:15-14:40 |
還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊 |
○水林 亘・小川有人・生田目俊秀・佐竹秀喜・鳥海 明（産総研） |
| (21) |
14:40-15:05 |
HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性 |
○蓮沼 隆・内藤達也（筑波大）・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久夫（筑波大） |
| (22) |
15:05-15:30 |
XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 |
○鈴木治彦・長谷川 覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） |
| (23) |
15:30-15:55 |
Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE（Fully Germanided）電極の仕事関数決定要因の考察 |
○土屋義規・吉木昌彦・木下敦寛・小山正人・古賀淳二・西山 彰（東芝） |
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題目の後に＊のついた講演は、応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会でアレンジした講演です。
６月研究会担当
宮崎誠一(広島大）
羽路伸夫(横浜国大)
松井裕一（日立） |
pub
i
s
), 金田千穂子（富士通研究所, 
o
)へお願いいたします。
:oh
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