8月8日(木) 午後
14:00 - 17:35 |
| (1) |
14:00-14:25 |
共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化 |
○呉 東坡・水牧勝太朗・潘 杰・森 雅之・前澤宏一（富山大） |
| (2) |
14:25-14:50 |
高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly |
○中野 純・柴田知明・森田弘樹・坂本 宙・森 雅之・前澤宏一（富山大） |
| (3) |
14:50-15:15 |
トンネルダイオード線路上のエッジ振動ダイナミクス |
○楢原浩一（山形大） |
| |
15:15-15:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
15:30-16:20 |
［招待講演］容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析 |
○鈴木寿一・Hong-An Shih・工藤昌宏（北陸先端大） |
| (5) |
16:20-16:45 |
スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用 |
○山本裕司・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih・工藤昌宏・鈴木寿一（北陸先端大） |
| (6) |
16:45-17:10 |
AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加 |
○徳田博邦・小島敏和・葛原正明（福井大） |
| (7) |
17:10-17:35 |
Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価 |
○上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所）・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） |
8月9日(金) 午前
09:00 - 11:45 |
| (8) |
09:00-09:25 |
超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス |
○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森 雅之・前澤宏一（富山大） |
| (9) |
09:25-09:50 |
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 |
○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） |
| (10) |
09:50-10:15 |
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 |
○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津 璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大） |
| |
10:15-10:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (11) |
10:30-10:55 |
InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果 |
○日高志郎・岩瀬比宇麻・赤堀誠志・山田省二（北陸先端大）・今中康貴・高増 正（物質・材料研究機構） |
| (12) |
10:55-11:20 |
GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価 |
○赤堀誠志・村上達也・山田省二（北陸先端大） |
| (13) |
11:20-11:45 |
Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 |
○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大） |
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