6月21日(金) 午前
11:00 - 17:05 |
| (1) |
11:00-11:20 |
NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価 |
○細井卓治・Kidist Moges（阪大）・染谷 満（産総研）・志村考功（阪大）・原田信介（産総研）・渡部平司（阪大） |
| (2) |
11:20-11:40 |
Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation |
○Jihee Jeon・Akihiro Suzuki・Shigehisa Shibayama・Shigeaki Zaima・Osamu Nakatsuka（Nagoya Univ.） |
| (3) |
11:40-12:00 |
熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 |
○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大） |
| (4) |
12:00-12:20 |
イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について |
○祖父江秀隆・福田雅大・柴山茂久（名大）・財満鎭明（名城大）・中塚 理（名大） |
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12:20-13:30 |
昼食 （ 70分 ） |
| (5) |
13:30-14:00 |
［依頼講演］電子デバイスから見た 2D/3D ナノ計測の必要性 ナノ計測の必要性 |
○臼田宏冶（東芝メモリ） |
| (6) |
14:00-14:30 |
［依頼講演］超音波原子間力顕微鏡によるナノ領域弾性特性評価 |
○辻 俊宏（東北大）・山中一司（ボールウェーブ） |
| (7) |
14:30-15:00 |
［依頼講演］光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測 |
○筒井一生（東工大）・松下智裕（高輝度光科学研究センター）・名取鼓太郞・小川達博（東工大）・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・森川良忠（阪大）・星井拓也・角嶋邦之・若林 整（東工大）・林 好一（名工大）・松井文彦（分子科学研）・木下豊彦（高輝度光科学研究センター） |
| (8) |
15:00-15:30 |
［依頼講演］X線によるナノデバイスおよび格子欠陥の三次元観測 ～ シリコン材料・デバイス研究会 ～ |
○表 和彦・伊藤義泰（リガク） |
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15:30-15:45 |
休憩 （ 15分 ） |
| (9) |
15:45-16:05 |
超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード |
○矢嶋赳彬（東大）・佐俣勇佑・西村知紀・鳥海 明（JST） |
| (10) |
16:05-16:25 |
超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション |
○小川湧太郎・野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） |
| (11) |
16:25-16:45 |
ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価 |
○出来真斗・奥出 真・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） |
| (12) |
16:45-17:05 |
HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 |
○大田晃生・牧原克典（名大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司・宮﨑誠一（名大） |
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