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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2017年10月25日(水) 14:00 - 17:20
2017年10月26日(木) 09:30 - 14:30
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来情報産業研究館5F大会議室 
住所 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 地下鉄東西線青葉山駅から徒歩1分
http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/map.html
会場世話人
連絡先
黒田 理人
022-795-4833
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月25日(水) 午後 
14:00 - 17:20
(1) 14:00-14:50 [招待講演]段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整 SDM2017-50 掛川智康二瀬卓也サンディスク
(2) 14:50-15:20 Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution and its Decrease by Atomically Flattening Process SDM2017-51 Hyeonwoo Park・○Rihito KurodaTetsuya GotoTomoyuki SuwaAkinobu TeramotoDaiki KimotoShigetoshi SugawaTohoku Univ
(3) 15:20-15:50 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 SDM2017-52 工藤聡也大見俊一郎東工大
  15:50-16:00 休憩 ( 10分 )
(4) 16:00-16:30 塗布型拡散剤を用いたnm対応コンフォーマルドーピング技術 SDM2017-53 木下哲郎真下峻一大橋卓矢澤田佳宏木下洋平藤村悟史TOK
(5) 16:30-17:20 [招待講演]HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 SDM2017-54 前田康貴劉 野原廣木瑞葉大見俊一郎東工大
  17:20-17:30 平成28年度SDM研究専門委員会若手優秀発表賞 表彰式 ( 10分 )
10月26日(木) 午前 
09:30 - 14:30
(6) 09:30-10:20 [招待講演]ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ~ 半導体製造の歩留解析支援システム ~ SDM2017-55 赤堀浩史東芝メモリ)・中田康太折原良平水岡良彰高木健太郎東芝)・門多健一西村孝治田中祐加子江口英孝東芝メモリ
(7) 10:20-10:50 紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計 SDM2017-56 石井秀和東北大)・永瀬正明池田信一フジキン)・志波良信白井泰雪黒田理人須川成利東北大
(8) 10:50-11:20 ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 SDM2017-57 女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構/JST)・澤本直美明大)・大井暁彦池田直樹知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大
  11:20-13:00 昼食 ( 100分 )
(9) 13:00-13:30 [依頼講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 SDM2017-58 下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクス
(10) 13:30-14:00 Pinning Voltage Control of CMOS Image Sensor by measuring sheet resistance at micro test structure in scribe line SDM2017-59 Yotaro GotoRSMC)・Tadasihi YamaguchiMasazumi MatsuuraREL)・Koji IizukaRSMC
(11) 14:00-14:30 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析 SDM2017-60 市野真也間脇武蔵寺本章伸黒田理人若嶋駿一須川成利東北大

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2017-08-22 21:09:07


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