10月25日(木) 午後
15:20 - 17:00 |
| (1) |
15:20-15:45 |
SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 |
○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大） |
| (2) |
15:45-16:10 |
AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 |
○岡田葉月・小松 新・渡辺将人（東京都市大）・泉 雄大・室 隆圭介（高輝度光科学研究センター）・澤野憲太郎・野平博司（東京都市大） |
| (3) |
16:10-16:35 |
微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 |
○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） |
| (4) |
16:35-17:00 |
温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析 |
○松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・江利口浩二・斧 高一（京大） |
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17:00-17:30 |
休憩 （ 30分 ） |
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17:30-19:30 |
懇親会 （ 120分 ） |
10月26日(金) 午前
09:30 - 14:15 |
| (5) |
09:30-09:55 |
Noise Performance of Accumulation MOSFETs |
○Philippe Gaubert・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
| (6) |
09:55-10:20 |
PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス |
○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| (7) |
10:20-11:50 |
［特別講演］シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 |
○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利（東北大） |
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11:50-13:00 |
昼食 （ 70分 ） |
| (8) |
13:00-13:25 |
Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator |
○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） |
| (9) |
13:25-13:50 |
Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering |
○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） |
| (10) |
13:50-14:15 |
シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術 |
○酒井 健・吉田達朗（東北大）・吉川和博（東北大/アプリシアテクノロジー）・大見忠弘（東北大） |
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