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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大野 裕三 (筑波大) 副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事 黒田 理人 (東北大) 幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 原 直紀 (富士通研) 副委員長 前澤 宏一 (富山大) 幹事 葛西 誠也 (北大)， 松永 高治 (NEC) 幹事補佐 鈴木 寿一 (北陸先端大)， 新井 学 (新日本無線) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 高野 泰 (静岡大) 副委員長 野毛 悟 (沼津高専) 幹事 佐藤 知正 (神奈川大)， 小舘 淳一 (NTT) 幹事補佐 岩田 展幸 (日大)， 坂本 尊 (NTT) 日時 2015年 5月28日(木) 13：00～18：20 2015年 5月29日(金) 08：40～12：35 会場 豊橋技術科学大学ベンチャービジネスラボラトリ(VBL)3Fセミナー室（〒441-8580豊橋市天伯町雲雀ヶ丘１－１．JR豊橋駅東口バス２番のりばから豊鉄バス豊橋技科大線に乗車、「技科大前」下車（約35分）．http://www.tut.ac.jp/about/access.html．エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)／電気・電子情報工学系 岡田 浩．0532-44-6979） 議題 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 5月28日(木) 午後 （13：00～18：20） (1) 13:00 - 13:25 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成 ○岸 直希・岩田鷹明・岩間一樹・包 建峰・劉 会濤・曽我哲夫（名工大） (2) 13:25 - 13:50 マイクロ波表面波プラズマCVDによる多数層グラフェン合成と紫外光カットによる高品質化 ○市村 進・内田秀雄・脇田紘一（中部大）・林 靖彦（岡山大）・梅野正義（中部大） (3) 13:50 - 14:15 SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成 ○鈴木悠矢・広瀬雄治・玉置祥平・宮川鈴衣奈・木下隆利・江龍 修（名工大） (4) 14:15 - 14:40 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 ○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (5) 14:50 - 15:15 Semi-polar GaN (10-13) grown on nominal Si (001) substrate with sputtered AlN buffer layer ○Hojun Lee・Tadashi Mitsunari・Yoshio Honda・Hiroshi Amano（Nagoya Univ.） (6) 15:15 - 15:40 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） (7) 15:40 - 16:05 コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大） (8) 16:05 - 16:30 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (9) 16:40 - 17:05 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 山口修造・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） (10) 17:05 - 17:30 Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） (11) 17:30 - 17:55 自由電子レーザー照射による面内配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御の可能性 川口大貴・吉田圭佑・小林弥生・春宮清之介・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） (12) 17:55 - 18:20 サファイア基板上におけるCo/Pt/r面配向Cr2O3積層膜の成膜条件最適化 隅田貴士・橋本浩佑・福井慎二郎・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） 5月29日(金) 午前 （08：40～12：35） (13) 08:40 - 09:05 ピクセル間感度差に基づく溶液電位の算出によるガラス管参照電極を不要とするpHイメージセンサ ○渡邊 愼・太齋文博・岩田達哉・石田 誠・服部敏明・澤田和明（豊橋技科大） (14) 09:05 - 09:30 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用 ○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友（北大） (15) 09:30 - 09:55 混合導電性SrFeO3-δの結晶構造と酸素透過特性 ○籠宮 功・白川史朗・柿本健一（名工大） (16) 09:55 - 10:20 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 ○小濱公洋・森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (17) 10:30 - 10:55 電気化学堆積CuxZnyS薄膜の熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也（名工大） (18) 10:55 - 11:20 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 鈴木大司・○高野 泰・石田明広（静岡大） (19) 11:20 - 11:45 Fabrication of Cu2O/Fe-O heterojunction solar cells by electrodeposition ○Zhang Chaolong（NIT）・Junie Jhon M. Vequizo（TTI）・Masaya Ichimura（NIT） (20) 11:45 - 12:10 電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用 ○梶間崇宏（名工大）・川井正一（デンソー）・市村正也（名工大） (21) 12:10 - 12:35 マイクロ流路チップ中でのレジオネラの運動制限による蛍光観測 ○西村祐典・林 隆平・中澤寛一・石田 誠・澤田和明・石井 仁（豊橋技科大）・町田克之（東工大/NTT-AT）・益 一哉（東工大）・王 常楽・飯田健一郎・齋藤光正・吉田眞一（九大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆協賛：豊橋技術科学大学VBL ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月19日(金) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [4月9日(木)] テーマ：MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 8月24日(月)～25日(火) 熊本市 [6月17日(水)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:     fff   e   ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 7月24日(金)～25日(土) ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) [6月5日(金)] テーマ：半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 8月3日(月)～4日(火) 機械振興会館 テーマ：センサデバイス、MEMS、一般 【問合先】 葛西 誠也（北海道大） TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004 E-mail :   irciqei松永 高治（NEC) TEL：044-455-8348 Fax :044-455-8253 E-mail： k-     fp  c ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月19日(金) 機械振興会館 [4月9日(木)] テーマ：材料デバイスサマーミーティング 8月10日(月)～11日(火) 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 [6月22日(月)] テーマ：電子部品・材料、一般（弘前大学電子情報工学科） 8月27日(木)～28日(金) 青森県観光物産館アスパム [6月15日(月)] テーマ：光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 Last modified: 2015-03-25 17:45:30 |
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