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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 副委員長 品田 高宏 (東北大) 幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事補佐 池田 浩也 (静岡大) 日時 2017年 2月 6日(月) 10：05～16：45 会場 東京大学/本郷/工学部4号館/３階４２教室（http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html．本郷アクセスマップ．http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/map01_02_j.html） 議題 配線・実装技術と関連材料技術 2月6日(月) 午前 （10：00～16：45） −−− 開会の挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 10:05 - 10:40 ［招待講演］Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu/low-k Structure ○小寺雅子・矢野博之・宮下直人（東芝） (2) 10:40 - 11:15 ［招待講演］ALDプロセスによるULSI用高品質金属薄膜の作製 ○霜垣幸浩（東大） (3) 11:15 - 11:50 ［招待講演］低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成 ○中塚 理（名大）・渡部佳優（東京エレクトロン）・鈴木陽洋（名大）・西 義雄（Stanford大）・財満鎭明（名大） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− (4) 13:00 - 13:35 ［招待講演］超長期保管メモリ・システムの必要性とその課題 ～ デジタル時代の和紙を目指して ～ ○小林敏夫（芝浦工大） (5) 13:35 - 14:10 ［招待講演］モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 ○服部淳一・福田浩一・入沢寿史・太田裕之・前田辰郎（産総研） (6) 14:10 - 14:45 ［招待講演］低電力FPGAを実現するビアスイッチ技術を用いた大規模クロスバースイッチの実証 ○伴野直樹・多田宗弘・岡本浩一郎・井口憲幸・阪本利司・波田博光（NEC）・越智裕之（立命館大）・小野寺秀俊（京大）・橋本昌宜（阪大）・杉林直彦（NEC） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (7) 15:00 - 15:35 ［招待講演］先端LSI配線におけるライナー・バリア機能を有する非晶質コバルト合金の特性 マリャムサダット ホセイニ・小出紘之・渡辺和樹・安藤大輔・須藤祐司・○小池淳一（東北大） (8) 15:35 - 16:10 ［招待講演］ビアラスト型TSVの高留まり化のためのウエット洗浄プロセスの開発 ○渡辺直也（産総研）・菊地秀和・柳澤あづさ（ラピス）・島本晴夫・菊地克弥・青柳昌宏（産総研）・中村彰男（ラピス） (9) 16:10 - 16:45 ［招待講演］湿式法によるスルーホール付きガラス基板への直接銅めっき ○井上浩徳・高山昌敏・藤村 翼・鬼武重雄（江東電気） −−− 閉会の挨拶 （ 5分 ） −−− 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 10 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月24日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月16日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月20日(木)～21日(金) 龍郷町生涯学習センター [2月19日(日)] テーマ：有機エレクトロニクス、シリコンデバイス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス、材料・評価技術および一般 5月25日(木)～26日(金) 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) [3月15日(水)] テーマ：結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2017-01-17 14:50:15 |
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