12月17日(金) 午前
09:15 - 13:00 |
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09:15-09:20 |
委員長挨拶（開会） （ 5分 ） |
| (1) |
09:20-09:45 |
マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御 |
○佐野勇人・中田紀彦・中濱正統・松谷晃宏・小山二三夫（東工大） |
| (2) |
09:45-10:10 |
光インターコネクション向け高信頼性1060 nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性 |
○今井 英・高木啓史・神谷慎一・清水 均・吉田順自・川北泰雅・高木智洋・平岩浩二・清水 裕・鈴木理仁・岩井則広・石川卓哉・築地直樹・粕川秋彦（古河電工） |
| (3) |
10:10-10:35 |
All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers |
○Chin-Hui Chen・Shinji Matsuo・Kengo Nozaki・Akihiko Shinya・Tomonari Sato・Yoshihiro Kawaguchi・Hisashi Sumikura・Masaya Notomi（NTT） |
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10:35-10:45 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
10:45-11:10 |
歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御 |
○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT） |
| (5) |
11:10-11:35 |
a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ |
○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） |
| (6) |
11:35-12:00 |
低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ |
○境野 剛・瀧口 透・外間洋平・佐久間 仁・綿谷 力・柳楽 崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英・石村栄太郎・島 顕洋（三菱電機） |
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12:00-13:00 |
昼食 （ 60分 ） |
12月17日(金) 午後
13:00 - 17:45 |
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13:00-13:10 |
LQE奨励賞表彰式 （ 10分 ） |
| (7) |
13:10-13:35 |
［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ |
○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研） |
| (8) |
13:35-14:00 |
［奨励講演］世界最速・超広帯域波長可変・超短パルスレーザー光源（擬似SC光源）の開発とOCTへの応用 |
○住村和彦（光響/阪大）・玄田裕美・太田健史・伊東一良（阪大）・西澤典彦（名大） |
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14:00-14:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (9) |
14:10-14:35 |
超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与 |
○笹倉弘理（北大）・田中和典（浜松ホトニクス）・許 載勲（北大）・赤崎達志（NTT）・熊野英和・末宗幾夫（北大） |
| (10) |
14:35-15:00 |
第一原理計算によるゲルマニウム量子井戸発光素子の研究 |
○諏訪雄二・斎藤慎一（日立） |
| (11) |
15:00-15:25 |
1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 |
○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本 智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL） |
| (12) |
15:25-15:50 |
光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ |
○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） |
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15:50-16:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (13) |
16:00-16:25 |
高出力625nmAlGaInP半導体レーザ |
○八木哲哉・島田尚往・大野彰人・阿部真司・宮下宗治（三菱電機） |
| (14) |
16:25-16:50 |
BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振 |
○藤崎寿美子（日立）・中島 博（ソニー）・葛西淳一・秋本良一（産総研）・田才邦彦・滝口由朗（ソニー）・紀川 健（日立）・朝妻庸紀・玉村好司（ソニー）・田中滋久・辻 伸二（日立）・鍬塚治彦・挾間壽文・石川 浩（産総研） |
| (15) |
16:50-17:15 |
端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ |
○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一（パナソニック） |
| (16) |
17:15-17:40 |
紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ |
○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） |
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17:40-17:45 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
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