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マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 大平 孝 (豊橋技科大)
副委員長 黒木 太司 (呉高専), 中津川 征士 (NTT), 川上 憲司 (三菱電機)
幹事 加屋野 博幸 (東芝), 河合 正 (兵庫県立大)
幹事補佐 鴨田 浩和 (ATR), 清水 隆志 (宇都宮大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)
幹事補佐 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)

日時 2013年 1月17日(木) 14:30 - 17:15
2013年 1月18日(金) 10:00 - 15:45
議題 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線:神谷町駅下車徒歩10分,JR:浜松町駅下車徒歩20分,都営地下鉄三田線:御成門駅・大江戸線:赤羽橋駅下車徒歩10分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
会場世話人
連絡先
03-3433-6691

1月17日(木) 午後 
14:30 - 17:15
(1) 14:30-14:55 94GHz帯NRDガイドの設計 ○黒木太司・井上晋吾・森田智紀・久保遥平(呉高専)
(2) 14:55-15:20 放送、通信用の電波を対象とした電磁波エネルギー回収の回路検討 ○北沢祥一・鴨田浩和・花澤理宏・阿野 進・伴 弘司・小林 聖(ATR)
(3) 15:20-15:45 FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定 ○南 昂孝・崎原孫周・ウリン トヤ・上原秀幸・大平 孝(豊橋技科大)
  15:45-16:00 休憩 ( 15分 )
(4) 16:00-16:25 Double-layer Corporate-feed Hollow-waveguide Slot Array Antenna and Its Data Transmission Test Results in millimeter wave band ○Dongjin Kim・Jiro Hirokawa・Makoto Ando(Tokyo Institute of Tech.)・Jun Takeuchi・Akihiko Hirata(NTT)・Tadao Nagatsuma(Osaka Univ.)
(5) 16:25-16:50 120GHz帯20Gb/s QPSK送信/受信モジュール ○高橋宏行・小杉敏彦・枚田明彦・竹内 淳・村田浩一・久々津直哉(NTT)
(6) 16:50-17:15 120GHz帯無線の気象条件に起因する減衰変化速度の評価 ○枚田明彦・竹内 淳・高橋宏行・久々津直哉(NTT)
1月18日(金) 午前 
10:00 - 15:45
(7) 10:00-10:25 Low-loss On Chip CMOS Patterned Ground Coplanar Waveguide Transmission Line for Millimeter-wave Technology ○Dayang Azra Binti Awang Mat・Ramesh K. Pokharel・Rohana Sapawi・Haruichi Kanaya・Keiji Yoshida(Kyushu Univ.)
(8) 10:25-10:50 ハーフモードグルーブガイドを用いた無線電力伝送用0dBカプラの検討 ○森 星弥・岸原充佳・大久保賢祐・滝本裕則(岡山県立大)・太田 勲(兵庫県立大)
(9) 10:50-11:15 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発 ○由村典宏・渡辺直樹・出口博昭・宇井範彦(住友電工デバイスイノベーション)
(10) 11:15-11:40 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 ○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治(三菱電機)
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
(11) 13:00-13:25 Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅(パナソニック)
(12) 13:25-13:50 ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析 ○塙 秀之・小野寺 啓・堀尾和重(芝浦工大)
(13) 13:50-14:15 GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響 ○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅(パナソニック)
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(14) 14:30-14:55 AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏(三菱電機)・宮本恭幸(東工大)
(15) 14:55-15:20 SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也(東北大)
(16) 15:20-15:45 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT ○吉田智洋・小林健悟・尾辻泰一・末光哲也(東北大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 鴨田 浩和 (ATR)
TEL:0774-95-1541
FAX:0774-95-1508
E--mail:atr
もしくは
加屋野 博幸(東芝)
TEL: 044-549-2110
FAX: 044-520-1801
E--mail:ba 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E--mail : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E--mailzopac 


Last modified: 2012-11-27 08:54:47


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