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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

日時 2010年12月17日(金) 10:00 - 17:45
議題 シリコン関連材料の作製と評価 
会場名 京都大学桂キャンパスA1棟 地下講義室1 
住所 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂A1
交通案内 阪急桂駅(西口)からバス15分「京大桂キャンパス前」下車
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.htm
会場世話人
連絡先
京都大学工学研究科 木本恒暢
075-383-2300
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

12月17日(金) 午前 
10:00 - 12:20
(1) 10:00-10:20 MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ ○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢(京大)
(2) 10:20-10:40 X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 ~ シミュレーションによる評価 ~ ○北野谷征吾・西川誠二・松浦秀治(阪電通大)
(3) 10:40-11:00 イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 ○中島孝仁・松倉武偉(京大)・鳴海一雅(原子力機構)・前田佳均(京大)
(4) 11:00-11:20 蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善 ○堀口昌吾・紺谷拓哉・堀田昌宏(奈良先端大)・田口信義(イメージテック)・浦岡行治(奈良先端大/JST)
(5) 11:20-11:40 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング ○長谷川光洋・平田憲司・高山 環・舟谷友宏・冬木 隆(奈良先端大)
(6) 11:40-12:00 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 ○舟谷友宏・平田憲司・高山 環・長谷川光洋・冬木 隆(奈良先端大)
(7) 12:00-12:20 ナノ構造シリコンへのH2-N2プラズマ処理効果 ○渡辺晃次・須田健一・仲田英起・本橋光也(東京電機大)
  12:20-13:20 昼食 ( 60分 )
12月17日(金) 午後 
13:20 - 15:30
(8) 13:20-13:50 [招待講演]ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御 ○木下健太郎・依田貴稔・田中隼人・花田明紘・岸田 悟(鳥取大)
(9) 13:50-14:10 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢(京大)
(10) 14:10-14:30 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果 ○西川誠二・北野谷征吾・松浦秀治(阪電通大)
(11) 14:30-14:50 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 ○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治(阪電通大)・小野田 忍・大島 武(原子力機構)
(12) 14:50-15:10 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価 ○佐藤智久(阪大)・二ツ木高志・大江太郎(オルガノ)・小松直佳・木村千春・青木秀充(阪大)
(13) 15:10-15:30 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 ○竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛(京大)
  15:30-15:45 休憩 ( 15分 )
12月17日(金) 午後 
15:45 - 17:45
(14) 15:45-16:05 ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 ○奥谷真士・高島周平・吉本昌広(京都工繊大)・Woo Sik Yoo(WaferMasters)
(15) 16:05-16:25 ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発 ○岡部泰典・近藤健二(東北学院大)・広瀬研太・鈴木順季・北原邦紀(島根大)・原 明人(東北学院大)
(16) 16:25-16:45 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価 ○松江将博・市川和典・赤松 浩(神戸高専)・山崎浩司・堀田昌宏・浦岡行治(奈良先端大)
(17) 16:45-17:05 Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究 ○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄(兵庫県立大)・坂本憲児・横山 新(広島大)
(18) 17:05-17:25 Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク ~ 複数回の学習とAND・OR・EXORの学習 ~ ○宮谷友彰・藤田悠佑(龍谷大)・三島大樹(奈良先端大)・谷口 仁・笠川知洋・木村 睦(龍谷大)
(19) 17:25-17:45 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 ○丸山智己・藤井茉美(奈良先端大)・笠見雅司・矢野公規(出光興産)・堀田昌宏・石河泰明(奈良先端大)・浦岡行治(奈良先端大/JST)

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 木本 恒暢(京都大学)
Tel: 075-383-2300 Fax: 075-383-2303
E--mail: eek-u 


Last modified: 2010-10-21 09:07:39


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