4月13日(月) 午後
13:00 - 17:40 |
| (1) |
13:00-13:30 |
［招待講演］cwレーザー誘起単結晶Si帯成長における双晶発生機構とSi前駆膜の影響 |
○葉 文昌・白川俊樹（島根大） |
| (2) |
13:30-14:00 |
［招待講演］Ⅳ族半導体薄膜の低温結晶化とトンネル注入薄膜トランジスタ |
○松尾直人（兵庫県立大） |
| (3) |
14:00-14:20 |
青色半導体レーザにより結晶化したpoly-Si膜を用いた金属ソース/ドレイン構造TFT |
○岡田竜弥・野口 隆（琉球大） |
| (4) |
14:20-14:50 |
［招待講演］シリコン薄膜の低温結晶化と薄膜トランジスタへの応用 |
○浦岡行治（奈良先端大） |
| (5) |
14:50-15:10 |
絶縁基板上Si薄膜の結晶化における課題 |
○野口 隆・岡田竜弥（琉球大） |
| |
15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (6) |
15:20-15:50 |
［招待講演］Transistor application of polycrystalline Ge-based thin films |
○Kaoru Toko（Univ. of Tsukuba） |
| (7) |
15:50-16:20 |
［招待講演］大気圧熱プラズマジェット照射による非晶質基板上のリンドープゲルマニウム薄膜の結晶化と電気特性 |
○東 清一郎（広島大） |
| (8) |
16:20-16:50 |
［招待講演］Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上 |
○市川和典（松江高専） |
| (9) |
16:50-17:20 |
［招待講演］化学溶液堆積法によるMoS2, WS2膜の形成と薄膜トランジスタ応用 |
キム ジュウナン・中嶋崇博・小林祐貴・羽賀健一・○徳光永輔（北陸先端大） |
| (10) |
17:20-17:40 |
GeSn/絶縁基板の固相成長におけるa-Si下地挿入効果 |
○丹 優太・鶴田太基・佐道泰造（九大） |
4月14日(火) 午前
09:10 - 11:40 |
| (11) |
09:10-09:30 |
固液界面における吸着分子のその場観察 |
○松田直樹・岡部浩隆（産総研） |
| (12) |
09:30-09:50 |
電界誘起光第2次高調波発生法によるトライボエレクトロニクスのための摩擦帯電測定系の構築とpolyimideの摩擦帯電と剥離帯電の観察 |
○田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） |
| (13) |
09:50-10:10 |
非線形分光測定によるキラルペロブスカイトの極性構造解析 |
○野間大史（理研） |
| (14) |
10:10-10:40 |
［招待講演］TFT液晶ディスプレイとガラス基板の特性および品質 |
○伊藤丈二（IDC） |
| (15) |
10:40-11:10 |
［招待講演］酸化物半導体による多結晶シリコン薄膜トランジスタへの挑戦 |
○古田 守（高知工科大） |
| (16) |
11:10-11:40 |
［招待講演］大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発 |
○辻 博史・中田 充・武井達哉・宮川幹司・中嶋宜樹・清水貴央（NHK） |
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