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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大野 裕三 (筑波大) 副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事 黒田 理人 (東北大) 幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 日時 2014年11月 6日(木) 10：05～15：30 2014年11月 7日(金) 10：00～14：40 会場 機械振興会館 地下３階 ２号室（東京都港区芝公園３－５－８．東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/about/access.html） 議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 11月6日(木) 午前 （10：00～11：45） 座長: 山川真弥 （ソニー） −−− オープニング アドレス （ 5分 ） −−− (1) 10:05 - 10:30 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル ○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） (2) 10:30 - 10:55 Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討 ○大村泰久・佐藤伸吾（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） (3) 10:55 - 11:20 モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 ○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト） (4) 11:20 - 11:45 SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ～ 双対性による逆方向電流のモデル化 ～ ○山本哲也・澤井徹郎・堀川信之・神澤好彦・水谷研治・大塚信之・藤井英治（パナソニック） −−− 昼食 （ 75分 ） −−− 11月6日(木) 午後 （13：00～15：30） 座長: 國清辰也 （ルネサスエレクトロニクス） (5) 13:00 - 13:50 ［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～ ○執行直之（東芝） (6) 13:50 - 14:40 ［招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展 ○影島博之（島根大） (7) 14:40 - 15:30 ［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 ○石原貴光・安田直樹・藤井章輔（東芝） 11月7日(金) 午前 （10：00～11：40） 座長: 安斎久浩 （ソニー） (8) 10:00 - 10:50 ［招待講演］SISPAD 2014 レビュー ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） (9) 10:50 - 11:15 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 ○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大） (10) 11:15 - 11:40 モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 ○土屋英昭・石田良馬（神戸大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大）・宇野重康（立命館大）・小川真人（神戸大） −−− 昼食 （ 80分 ） −−− 11月7日(金) 午後 （13：00～14：40） 座長: 小田義則 (STARC) (11) 13:00 - 13:50 ［招待講演］ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング ○三木浩史（日立） (12) 13:50 - 14:40 ［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism ○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月12日(金) 京都大学 [10月10日(金)] テーマ：シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 2015年1月27日(火) 機械振興会館 [未定] テーマ：先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 2015年2月5日(木)～6日(金) 北海道大学（百年記念会館） [12月5日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 安斎 久浩 （ソニー） E-mail: Hi     Ani   ny 国清 辰也 （ルネサス エレクトロニクス） E-mail:        zn  sLast modified: 2014-10-09 08:31:33 |
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