10月17日(木) 午後
14:00 - 19:00 |
| (1) |
14:00-14:50 |
［招待講演］SiCパワーデバイスの開発動向 |
○四戸 孝（東芝） |
| (2) |
14:50-15:20 |
Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) |
○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） |
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15:20-15:40 |
休憩 （ 20分 ） |
| (3) |
15:40-16:10 |
Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering |
○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） |
| (4) |
16:10-16:40 |
原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 |
○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） |
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16:40-17:00 |
休憩 （ 20分 ） |
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17:00-19:00 |
懇親会 （ 120分 ） |
10月18日(金) 午前
09:30 - 14:30 |
| (5) |
09:30-10:00 |
内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード |
○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利（東北大） |
| (6) |
10:00-10:30 |
窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 |
○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大） |
| (7) |
10:30-11:00 |
バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 |
○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） |
| (8) |
11:00-11:30 |
古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ～ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ～ |
○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧 高一（京大） |
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11:30-13:00 |
昼食 （ 90分 ） |
| (9) |
13:00-13:30 |
積層型不揮発性メモリの設計法 |
○渡辺重佳（湘南工科大） |
| (10) |
13:30-14:00 |
プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 |
亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧 高一（京大） |
| (11) |
14:00-14:30 |
MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 |
○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大） |
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