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★信頼性研究会（R）
専門委員長　福田収一　　副委員長　柳繁
幹事　若井一顕，弓削哲史
幹事補佐　井原惇行，深井佳乃

★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　和保孝夫　　副委員長　葛原正明
幹事　田中毅，新井学
幹事補佐　高谷信一郎

日時　2005年11月25日(金)　10：10～16：20

会場（社）中央電気倶楽部（大阪市北区堂島浜2-1-25．大阪駅より徒歩12分，JR北新地駅より徒歩6分．http://www.chuodenki-club.or.jp/map/annai.html．06-6345-6351）

議題半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性，信頼性一般

11月25日(金) 午前（10：10～11：30）

(1) 10:10 - 10:50
［招待講演］低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの信頼性評価技術
○浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）

(2) 10:50 - 11:30
［招待講演］有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成～低温触媒CVD装置の開発～
○部家　彰（兵庫県立大）・南川俊治（石川工試）・仁木敏一・南　茂平（石川製作所）・増田　淳・梅本宏信（北陸先端大）・松尾直人（兵庫県立大）・松村英樹（北陸先端大）

11月25日(金) 午後（13：10～16：20）

(3) 13:10 - 13:35
Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発
○寺本章伸・渡辺一史・黒田理人（東北大）・三富士道彦・山葉隆久（ローム）・須川成利・大見忠弘（東北大）

(4) 13:35 - 14:00
SOIウェーハの非接触電気特性評価
○宇野良平・吉田晴彦・佐藤真一（兵庫県立大）

(5) 14:00 - 14:25
Scan チェーンを活用した故障部位特定手法とその解析事例
○片岡　武・渡部尚数・河南　靖・田中雅二（松下電器）

(6) 14:25 - 14:50
動作電流密度2mA/um2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT
○深井佳乃・栗島賢二・井田　実・山幡章司・榎木孝知（NTT）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(7) 15:05 - 15:30
GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化
○野上洋一・日坂隆行・吉田直人（三菱電機）

(8) 15:30 - 15:55
水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価
○須田将之（都立大）・中村成志・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京）

(9) 15:55 - 16:20
ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおけるの異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討
○葛西誠也・小谷淳二・長谷川英機・橋詰　保（北大）

一般講演（25）：発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演（40）：発表 35 分＋質疑応答 5 分

◆日本信頼性学会関西支部, IEEE-RS Japan Chapter共催

☆R研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

12月16日(金)　機械振興会館　[10月21日(金)]　テーマ：信頼性国際規格，安全性，信頼性一般
2006年1月　休会
2006年2月17日(金)　住友電装　[12月16日(金)]　テーマ：機構デバイスの信頼性，信頼性一般

【問合先】
若井一顕(NHK 技術局送信技術センター菖蒲久喜放送所)
TEL0480-85-1118,FAX0480-85-1508
E-mail:

k-dm

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

12月22日(木)　機械振興会館　[10月24日(月)]　テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術
2006年1月18日(水)～20日(金)　機械振興会館　[11月17日(木)]　テーマ：化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス
2006年1月26日(木)～27日(金)　北海道大学百年記念会館大会議室　[11月16日(水)]　テーマ：量子効果デバイス及び関連技術

【問合先】
田中毅（松下電器）
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-mail: