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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 品田 高宏 (東北大) 副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ) 幹事 池田 浩也 (静岡大)， 諸岡 哲 (東芝メモリー) 幹事補佐 森 貴洋 (産総研)， 小林 伸彰 (日大) 日時 2018年 6月25日(月) 11：00～16：55 会場 名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー ベンチャーホール３F（〒464-0814 名古屋市千種区不老町B2-4．www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access.html） 議題 MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 6月25日(月) 午前 （11：00～16：55） (1) 11:00 - 11:20 オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価 ○出来真斗・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） (2) 11:20 - 11:40 ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較 グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大） (3) 11:40 - 12:00 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） (4) 12:00 - 12:20 n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 ○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− (5) 13:30 - 14:00 ［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ ○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大） (6) 14:00 - 14:30 ［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 ○川原田 洋・大井信敬・畢 特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩 篤（早大） (7) 14:30 - 15:00 ［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質 ○加藤有香子（産総研）・滝沢耕平（東京都市大）・牧野俊晴・加藤宙光・小倉政彦・竹内大輔・山崎 聡（産総研）・野平博司（東京都市大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (8) 15:15 - 15:35 リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） (9) 15:35 - 15:55 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 ○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大） (10) 15:55 - 16:15 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討 ○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） (11) 16:15 - 16:35 HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） (12) 16:35 - 16:55 X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月7日(火)～9日(木) 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [6月19日(火)] テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2018-04-20 18:00:03 |
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