6月25日(月) 午前
11:00 - 16:55 |
| (1) |
11:00-11:20 |
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価 |
○出来真斗・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） |
| (2) |
11:20-11:40 |
ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較 |
グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大） |
| (3) |
11:40-12:00 |
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 |
○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） |
| (4) |
12:00-12:20 |
n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 |
○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） |
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12:20-13:30 |
昼食 （ 70分 ） |
| (5) |
13:30-14:00 |
［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ |
○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大） |
| (6) |
14:00-14:30 |
［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 |
○川原田 洋・大井信敬・畢 特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩 篤（早大） |
| (7) |
14:30-15:00 |
［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質 |
○加藤有香子（産総研）・滝沢耕平（東京都市大）・牧野俊晴・加藤宙光・小倉政彦・竹内大輔・山崎 聡（産総研）・野平博司（東京都市大） |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (8) |
15:15-15:35 |
リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 |
○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） |
| (9) |
15:35-15:55 |
酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 |
○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大） |
| (10) |
15:55-16:15 |
第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討 |
○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） |
| (11) |
16:15-16:35 |
HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 |
○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） |
| (12) |
16:35-16:55 |
X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 |
藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） |
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