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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大野 裕三 (筑波大) 副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事 黒田 理人 (東北大) 幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 日時 2015年11月 5日(木) 10：00～15：20 2015年11月 6日(金) 11：00～15：20 会場 機械振興会館 6F 67号室（〒105-0011 東京都港区芝公園３－５－８．東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/about/access.html） 議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 11月5日(木) 午前 （10：00～11：50） 座長: 安斎久浩 （ソニー（株）） (1) 10:00 - 10:50 ［招待講演］半導体における不純物拡散モデリングの現状 ○植松真司（慶大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (2) 11:00 - 11:25 バルクCMOSにおけるシングルイベントラッチアップに対するDeep P-wellの効果 ○加藤貴志・松山英也（SNI） (3) 11:25 - 11:50 モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析 ○南谷夏海（阪大）・Vu Truon Son Dao・下ノ村和弘・江藤剛治（立命館大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大） −−− 昼食 （ 100分 ） −−− 11月5日(木) 午後 （13：30～15：20） 座長: 園田賢一郎 （ルネサス エレクトロ二クス（株）） (4) 13:30 - 14:20 ［招待講演］SISPAD 2015 レビュー ○三成英樹（ソニー） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (5) 14:30 - 15:20 ［招待講演］SISPAD2015レビュー ○國清辰也（ルネサス エレクトロニクス） 11月6日(金) 午前 （11：00～11：50） 座長: 国清辰也 （ルネサス エレクトロ二クス（株） (6) 11:00 - 11:50 ［招待講演］歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション ○相馬聡文・田中未来・市原圭祐・迫田翔太郎・笹岡健二・小川真人（神戸大） −−− 昼食 （ 100分 ） −−− 11月6日(金) 午後 （13：30～15：20） 座長: 小田嘉則 （（株）半導体理工学研究センター） (7) 13:30 - 14:20 ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (8) 14:30 - 15:20 ［招待講演］界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について ○酒井 敦・永久克己・園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）・久田賢一・新井耕一・山本陽一（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング）・谷沢元昭・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月14日(月) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 [10月9日(金)] テーマ：シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 2016年1月22日(金) 東京大学 山上会館 [11月11日(水)] テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 2016年1月28日(木) 機械振興会館 [未定] テーマ：先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2015-10-16 19:18:15 |
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