12月4日(金) 午前
09:20 - 17:30 |
| (1) |
09:20-09:40 |
マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善 |
○小林祐輔（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・須崎昌己（阪府高専）・堀田昌宏（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST） |
| (2) |
09:40-10:00 |
4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 |
○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） |
| (3) |
10:00-10:20 |
電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 |
○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） |
| (4) |
10:20-10:40 |
200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ～ ドープ量依存性 ～ |
○柳澤英樹・西野公三・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） |
| (5) |
10:40-11:00 |
電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について |
○西野公三・柳澤英樹・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） |
| (6) |
11:00-11:20 |
薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定 |
○分銅衡介・飯室恵紀・瀬津光司（龍谷大）・佐川祐樹（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） |
| (7) |
11:20-11:40 |
Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲／放出特性の評価 |
○鎌倉良成（阪大）・日昔 崇（阪大/関西大）・辻 博史・谷口研二（阪大） |
| (8) |
11:40-12:00 |
エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工 |
○向井 寛・龍頭啓充・竹内光明・高岡義寛（京大） |
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12:00-13:00 |
休憩 （ 60分 ） |
| (9) |
13:00-13:30 |
［招待講演］High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性 |
西田征男（ルネサステクノロジ/広島大）・永久克己・清水昭博・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・○芝原健太郎（広島大/ルネサステクノロジ） |
| (10) |
13:30-13:50 |
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ～ シミュレーションによる評価 ～ |
○北野谷征吾・三宅貴之・谷口征大・松浦秀治（阪電通大） |
| (11) |
13:50-14:10 |
三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価 |
○市川和典・松江将博・赤松 浩（神戸高専）・浦岡行治（奈良先端大） |
| (12) |
14:10-14:30 |
薄膜デバイスの人工網膜への応用検討 |
○三浦佑太・小倉 健・大野史郎（龍谷大）・八田智久・西崎仁貴・山下毅彦（奈良先端大）・島 武弘・木村 睦（龍谷大） |
| (13) |
14:30-14:50 |
ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象 |
○原 明人・佐藤 功（東北学院大） |
| (14) |
14:50-15:10 |
Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク |
○三島大樹・谷口 仁・笠川知洋（龍谷大）・田畑裕貴・小野寺 亮（奈良先端大）・小嶋明樹・木村 睦（龍谷大） |
| |
15:10-15:30 |
休憩 （ 20分 ） |
| (15) |
15:30-15:50 |
レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化 |
○礒田伸哉・松尾直人・天野 壮・部家 彰・宮本修治・望月孝晏（兵庫県立大） |
| (16) |
15:50-16:10 |
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 |
○広重康夫・東 清一郎・宮崎祐介・松本和也・宮崎誠一（広島大） |
| (17) |
16:10-16:30 |
強誘電体インクの安定性改善 |
○大場友裕・前田慎弥・山口正樹（芝浦工大） |
| (18) |
16:30-16:50 |
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 |
○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） |
| (19) |
16:50-17:10 |
二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明 |
○牧野達也・木下健太郎・土橋一史・依田貴稔・岸田 悟（鳥取大） |
| (20) |
17:10-17:30 |
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 |
○西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） |
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