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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT)， 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)
日時 2011年 2月 7日(月) 10：00～17：00
会場 機械振興会館 地下3階 研修1号室（http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm）
議題 配線・実装技術と関連材料技術
2月7日(月) 午前 （10：00～17：00）
−−− 開会の挨拶 （ 5分 ） −−−
(1) 10:05 - 10:50
［基調講演］3次元実装技術とCPI(Chip Package Interaction)の課題
○折井靖光・鳥山和重・堀部晃啓・松本圭司・佐久間克幸（日本IBM）
(2) 10:50 - 11:20
ロバストLow-k(k～2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証
○井上尚也・植木 誠・山本博規・久米一平・川原 潤・井口 学・本田広一・堀越賢剛・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス）
(3) 11:20 - 11:50
コンプライアントバンプ技術のイメージセンサーへの応用
○渡辺直也・浅野種正（九大）
−−− 昼食，休憩 （ 50分 ） −−−
(4) 12:40 - 13:10
CuSiN/Cu/Ti系バリア構造におけるCu表面酸化層のEM信頼性へ与える影響
○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・渡邉 桂・加藤 賢・坂田敦子・梶田明広・柴田英毅（東芝）
(5) 13:10 - 13:40
光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存
○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST）
(6) 13:40 - 14:10
Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性
○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大）
(7) 14:10 - 14:40
光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線
○佐藤元伸（富士通/JST/産総研）・小川修一（東北大/JST）・池永英司（高輝度光科学研究センター/JST）・高桑雄二（東北大/JST）・二瓶瑞久（富士通/JST/産総研）・横山直樹（産総研）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(8) 14:55 - 15:25
Cu - TSV/ Cu -Snマイクロバンプを有する薄ウェハのストレス評価
○Murugesan Mariappan・福島誉史・田中 徹・小柳光正（東北大）
(9) 15:25 - 15:55
3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）
(10) 15:55 - 16:25
新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5)
○宇佐美達矢・小林千香子・三浦幸男（ルネサス エレクトロニクス）・永野修次（大陽日酸）・大音光市（ルネサス エレクトロニクス）・清水秀治（大陽日酸）・加田武史・大平達也（トリケミカル研）・藤井邦宏（ルネサス エレクトロニクス）
(11) 16:25 - 16:55
メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術
○松本 晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江 誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村 徹・虎澤直樹・鈴木 繁（パナソニック）
−−− 閉会の挨拶 （ 5分 ） −−−
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 10 分
◆応用物理学会共催
☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
2月23日(水)～24日(木) 北海道大学 百年記念会館 [12月8日(水)] テーマ：機能ナノデバイス及び関連技術
4月15日(金) (予定) 産総研九州センター [2月23日(水)] テーマ：薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般
5月19日(木)～20日(金) 名古屋大学 ＶＢＬ [3月24日(木)] テーマ：結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料）
【問合先】
安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-mail: Hisahiro.Ansai＠jp.sony.com
Last modified: 2010-12-15 13:12:38
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