12月14日(月) 午前 最新半導体デバイス
座長: 木村 睦 （龍谷大）
11:00 - 13:15 |
| (1) |
11:00-11:15 |
高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製 |
○小尻尚志・諏訪智之・橋本圭市・寺本章伸・黒田理人・須川成利（東北大） |
| (2) |
11:15-11:30 |
DNAのMOSFETチャネル材料としての検討 ～ 非クーロンブロッケード/ステアケース現象 ～ |
○松尾直人・中村文耶・高田忠雄・山名一成・部家 彰（兵庫県立大）・横山 新（広島大）・大村泰久（関西大） |
| (3) |
11:30-11:45 |
超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用 |
○番 貴彦・上沼睦典（奈良先端大）・右田真司（産総研）・石河泰明・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） |
| (4) |
11:45-12:00 |
NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布 |
○西 佑介・木本恒暢（京大） |
| (5) |
12:00-12:15 |
ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果 |
○大木康平・日下部昂志・松尾直人・部家 彰（兵庫県立大） |
| |
12:15-13:15 |
昼食 （ 60分 ） |
12月14日(月) 午後 薄膜プロセス・デバイス
座長: 木本 恒暢 （京大）
13:15 - 15:00 |
| (6) |
13:15-13:30 |
a-Ge膜のFLA結晶化におけるランプ印加電圧依存性 |
○平野翔大・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・河本直哉（山口大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（USHIO） |
| (7) |
13:30-13:45 |
グリーンレーザーアニールによる非晶質基板上への（１１１）面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 |
○仁枝嘉昭・高尾 透（奈良先端大）・堀田昌宏（京大）・佐々木伸夫（日本女子大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (8) |
13:45-14:00 |
RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 |
○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (9) |
14:00-14:15 |
ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 |
○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (10) |
14:15-14:30 |
IGZOのアニール温度に対するMR効果の変化 |
○宮村祥吾・志賀春紀・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜（龍谷大） |
| (11) |
14:30-14:45 |
CrSiNの磁気特性測定 |
○志賀春紀・宮村祥吾・今西恒太・符川明日香・木村 睦・松田時宜（龍谷大）・廣島 安（KOA） |
| |
14:45-15:00 |
休憩 （ 15分 ） |
12月14日(月) 午後 薄膜トランジスタ・アプリケーション
座長: 浦岡 行治 （奈良先端大）
15:00 - 16:30 |
| (12) |
15:00-15:15 |
薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性 |
○西村勇哉・原 明人（東北学院大） |
| (13) |
15:15-15:30 |
SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 |
○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (14) |
15:30-15:45 |
低温Poly-Si TFTの赤外線照射に対する電流特性評価 |
○北島秀平・木藤克哉・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・井上昌秀（華為技術日本） |
| (15) |
15:45-16:00 |
薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ～ TFTのin vitro実験 ～ |
○春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (16) |
16:00-16:15 |
簡略化エレメントを用いたニューラルネットワークのFPGAによる動作検証 |
○中村奈央・森田竜平・古我祐貴・中西弘樹・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (17) |
16:15-16:30 |
超簡略化構造のセルラニューラルネットワークの研究開発 ～ FPGAと可変抵抗による動作検証 ～ |
○中西弘樹・森田竜平・古我裕貴・中村奈央・杉崎澄生・横山朋陽・和多田晃樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
: 
