6月17日(金) 午後 機構デバイス・材料デバイスサマーミーティング
13:00 - 17:15 |
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13:00-13:05 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-13:30 |
溶液成長法によるCuO及びCu2O薄膜の成長と表面モフォロジー |
○寺迫智昭・門田直己・大森裕也・佐伯拓哉（愛媛大） |
| (2) |
13:30-13:55 |
触媒反応生成高エネルギーH2Oビームのエネルギー状態 |
○小野翔太郎・田島諒一・寺口祐介・高橋一匡・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） |
| (3) |
13:55-14:20 |
触媒反応支援CVD法による非極性ZnO結晶膜の成長 |
○田島諒一・池田宗謙・叶内慎吾（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
14:30-14:55 |
YAlO3(001)基板上でのCr2O3薄膜の成膜条件の最適化および結晶構造解析 |
○橋本浩佑・隅田貴士・福井慎二郎・平戸剛志・柳原康宏・永田知子・山本 寛・岩田展幸（日大） |
| (5) |
14:55-15:20 |
2層グラフェン層間化合物の電気特性のFeインターカレート濃度依存性 |
○星野 崚・倉金夏己・櫻井亮太・山岸多門・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
SrTiO3(110)上に成膜したBiFeO3薄膜および人工超格子の結晶構造解析及び磁気的特性 |
○松山裕貴・王 春・大橋祥平・張 琦・宋 華平・渡部雄太・永田知子・橋本拓也・山本 寛・岩田展幸（日大） |
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15:45-15:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (7) |
15:55-16:20 |
溶液成長法を用いた硫化スズ（SnS）形成技術の探索 |
○野毛 悟（沼津高専） |
| (8) |
16:20-16:45 |
リジッド及びフレキシブルプリント配線板銅箔の電磁圧接（第2報） |
○相沢友勝（都立高専）・杉山善崇（矢崎総業） |
| (9) |
16:45-17:10 |
ラミネーションコンタクト電極を用いた有機単結晶の電気測定 |
○酒井正俊・多田裕作・後藤大河・岡田悠悟・山内 博・工藤一浩（千葉大） |
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17:10-17:15 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
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