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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター) 副委員長 大見 俊一郎 (東工大) 幹事 森 貴洋 (産総研)， 小林 伸彰 (日大) 幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック)， 諏訪 智之 (東北大) 日時 2021年10月21日(木) 10：45～16：50 会場 オンライン開催 議題 プロセス科学と新プロセス技術 10月21日(木) 午前 （10：00～16：50） −−− チュートリアル：「半導体製造における超純水」 諏訪智之（東北大） （ 40分 ） −−− −−− 休憩 （ 5分 ） −−− (1) 10:45 - 11:35 ［招待講演］シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 ○三谷祐一郎（東京都市大） (2) 11:35 - 12:00 スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価 ○今泉文伸（小山高専） −−− 昼食休憩 （ 60分 ） −−− (3) 13:00 - 13:25 A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） (4) 13:25 - 13:50 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） (5) 13:50 - 14:15 A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation ○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro（Tokyo Tech.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (6) 14:30 - 15:20 ［招待講演］シリコン量子コンピュータに向けたデバイス・集積化技術 ○森 貴洋（産総研） (7) 15:20 - 15:45 TMRセンサの高感度化と生体計測への応用 ○大兼幹彦（東北大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (8) 16:00 - 16:25 電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測 ○齊藤宏河・鈴木勇人・朴 賢雨・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・諏訪智之・須川成利（東北大） (9) 16:25 - 16:50 トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析 ○秋元 瞭・黒田理人・間脇武蔵・須川成利（東北大） −−− 意見交換会 （ 40分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月11日(木)～12日(金) オンライン開催 [9月6日(月)] テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 2022年1月31日(月) オンライン開催 [未定] テーマ：先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 【問合先】 SDM幹事：森 貴洋（産業技術総合研究所） 電話 029-849-1149   -    aist Last modified: 2021-10-12 11:12:17 |
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