4月14日(木) 午前 ISSCC特集１ SRAM
09:00 - 10:30 |
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09:00-09:30 |
低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術 |
○武田晃一・萩原靖彦（NEC）・相本代志治（NECエレクトロニクス）・野村昌弘・中澤陽悦（NEC）・石井利生・小畑弘之（NECエレクトロニクス） |
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09:30-10:00 |
書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM |
○山岡雅直（日立）・前田徳章（ルネサステクノロジ）・篠崎義弘（日立超LSIシステムズ）・島崎靖久・新居浩二・島田 茂・柳沢一正（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） |
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10:00-10:30 |
A 256Mb Synchronous Burst DDR SRAM using Single-crystal Silicon Thin Film Transisitor (SSTFT) SRAM cell |
○Youngho Suh・Hyouyoun Nam・Youngdae Lee・Hungiun An・Sangbeom Kang・Byunggil Choi・Hoon Lim・Choongkeun Kwak・Hyunguen Byun（Samsung） |
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10:30-10:40 |
休憩 （ 10分 ） |
4月14日(木) 午前 ISSCC特集２ DRAM
10:40 - 12:10 |
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10:40-11:40 |
［招待講演］ナノスケール時代のDRAM ～ 非1T1Cアプローチ ～ |
○石井智之（日立） |
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11:40-12:10 |
SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM |
○大澤 隆・藤田勝之・初田幸輔（東芝）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・森門六月生・南 良博・篠 智彰・中島博臣・井納和美・浜本毅司・渡辺重佳（東芝） |
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12:10-13:00 |
昼食 （ 50分 ） |
4月14日(木) 午後 ISSCC特集２（続き） DRAM
13:00 - 15:00 |
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13:00-14:00 |
［招待講演］デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 ～ SoCの構造改革に向けたチャレンジ ～ |
○山内寛行（松下電器） |
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14:00-14:30 |
A 196-mm2, 2-Gb DDR2 SDRAM using an 80-nm Triple Metal Technology |
○Jeong Hoon kook・Kyehyun Kyung・Chiwook Kim・Jaeyoung Lee（Samsung） |
| (8) |
14:30-15:00 |
［招待講演］ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案 |
○関口知紀・秋山 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・半澤 悟・竹村理一郎・河原尊之（日立） |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
4月14日(木) 午後 ISSCC特集３ 不揮発性メモリ
15:15 - 16:45 |
| (9) |
15:15-15:45 |
Improved write methods for 64Mb Phase-change Random Access Memory (PRAM) |
○Hyung-rok Oh・Beak-hyung Cho・Woo Yeong Cho・Sangbeom Kang・Byung-gil Choi・Hye-jin Kim・Ki-sung Kim・Du-eung Kim・Choong-keun Kwak・Hyun-geun Byun・Gi-tae Jeong・Hong-sik Jeong・Kinam Kim（Samsung） |
| (10) |
15:45-16:15 |
70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計 |
○阿部 巧・原 毅彦・福田浩一・金澤一久・柴田 昇・細野浩司・前嶋 洋・中川道雄・小島正嗣・藤生政樹・竹内義昭・雨宮和美・師岡 翠（東芝）・亀井輝彦・那須弘明（サンディスク） |
| (11) |
16:15-16:45 |
多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ |
○倉田英明・笹子佳孝・大津賀一雄・有金 剛・河村哲史・小林 孝・久米 均（日立）・本間和樹・小堺健司・野田敏史・伊藤輝彦・清水雅裕・池田良広・土屋 修・古沢和則（ルネサステクノロジ） |
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16:45-19:00 |
休憩 懇親会 （ 135分 ） |
4月14日(木) 午後 イブニングパネル
19:00 - 21:00 |
| (12) |
19:00-21:00 |
[パネル討論] デジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術 |
○佐藤克之（エルピーダメモリ）・山内寛行（松下電器）・沼田健二（東芝）・赤沢 隆（ルネサステクノロジ）・片山泰尚（日本IBM） |
4月15日(金) 午前
10:30 - 12:00 |
| (13) |
10:30-11:00 |
低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア |
○辻 高晴（ルネサステクノロジ）・谷崎弘晃（ルネサスデバイスデザイン）・石川正敏・大谷 順・山口雄一郎・上野修一・大石 司・日高秀人（ルネサステクノロジ） |
| (14) |
11:00-11:30 |
高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー |
○三木 隆・平野博茂・坂上雅彦・中熊哲治・山岡邦吏・岩成俊一・村久木康夫・五寳 靖・藤井英治（松下電器） |
| (15) |
11:30-12:00 |
高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data圧縮方式 |
○福田 良・小林謙二（東芝）・赤松正志・開発 実・田村 淳・谷口一雄（ソニー）・渡辺陽二（東芝） |
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12:00-13:00 |
昼食 （ 60分 ） |
4月15日(金) 午後
13:00 - 15:00 |
| (16) |
13:00-13:30 |
1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル ～ デュアルワード線による高速化と低電力化 ～ |
○柴田信太郎・石原隆子（NTT）・栗田茂弘・沖山秀臣（NEL） |
| (17) |
13:30-14:00 |
バンク型多ポートメモリによる並列プロセッサ用キャッシュメモリの設計 |
○上口 光・朱 兆旻（広島大）・平川 泰（広島市大）・マタウシュ ハンス ユルゲン・小出哲士（広島大）・弘中哲夫・谷川一哉（広島市大） |
| (18) |
14:00-14:30 |
電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析 |
○長田健一（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・蒲原史朗（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） |
| (19) |
14:30-15:00 |
中性子ソフトエラーシミュレーションの新展開 |
○上村大樹・戸坂義春・芦澤芳夫・岡 秀樹・佐藤成生（富士通研） |
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