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★光エレクトロニクス研究会（OPE） 専門委員長 宇佐見 正士 (KDDI) 副委員長 山内 潤治 (法政大) 幹事 加藤 友章 (NEC)， 神徳 正樹 (NTT) ★機構デバイス研究会（EMD） 専門委員長 吉田 清 (日本工大) 副委員長 長谷川 誠 (千歳科技大) 幹事 関川 純哉 (静岡大)， 久我 宣裕 (横浜国大) 幹事補佐 服部 康弘 (住友電装) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 副委員長 竹村 泰司 (横浜国大) 幹事 今井 欽之 (NTT)， 野毛 悟 (沼津高専) 幹事補佐 島村 俊重 (NTT)， 阿部 克也 (信州大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 河口 仁司 (奈良先端大) 副委員長 勝山 造 (住友電工) 幹事 佐藤 健二 (NEC)， 宮本 智之 (東工大) 日時 2010年 8月26日(木) 09：20～18：30 2010年 8月27日(金) 09：00～18：35 会場 千歳アルカディア・プラザ（〒066-0009 北海道千歳市柏台南1-3-1．ＪＲ南千歳駅前．http://www.plaza-c.co.jp/．千歳科学技術大学 長谷川誠．0123-27-6059） 議題 光部品・電子デバイス実装技術、一般 8月26日(木) 午前 （09：20～12：25） (1) 09:20 - 09:45 ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ～ 加振機構のモデリング（9） ～ ○和田真一・越田圭治・サインダー ノロブリン・小田部正能・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎（日本工大） (2) 09:45 - 10:10 WS2を含有したCu-Sn系複合材料の高速しゅう動通電特性 渡辺克忠・○齋藤竜平（工学院大） (3) 10:10 - 10:35 地震防災用リレーの真実接触表面の動作回数による劣化の研究 渡辺克忠・○堂東朋記（工学院大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (4) 10:45 - 11:10 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス ○武藤星児・宇野武彦（神奈川工科大）・野毛 悟（沼津高専） (5) 11:10 - 11:35 ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討 ○宇野武彦（神奈川工科大）・野毛 悟（沼津高専） (6) 11:35 - 12:00 シングルモード自己形成技術によるパッシブ光回路 ○冨木政宏・渡邊裕樹・坂田 肇（静岡大）・河崎朱里・山下達弥・各務 学（豊田中研） (7) 12:00 - 12:25 An Innovation of Calcium Zeolite Catalyst Synthesis from Eggshell via Sol-gel Process ○Nuchnapa Tangboriboon・Nahathai Sornprasarn（Kasetsart Univ.） −−− 昼食 （ 45分 ） −−− 8月26日(木) 午後 （13：10～18：30） (8) 13:10 - 14:00 ［特別講演］ポリマー光導波路技術の最新研究開発動向 ○小林壮一・石倉隆広・松田和也・隠岐正義（千歳科技大）・須田俊央（フォトニックサイエンステクノロジ） (9) 14:00 - 14:50 ［招待講演］光ファイバ型睡眠時無呼吸センサの研究開発 ○三田地成幸（東京工科大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (10) 15:00 - 15:25 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術 ○竹中 充・横山正史・杉山正和・中野義昭・高木信一（東大） (11) 15:25 - 15:50 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発 ○望月敬太・有賀 博・板本裕光・秋山浩一・堀口裕一郎・西川智志・中路雅晴・竹村亮太・杉立厚志（三菱電機） (12) 15:50 - 16:15 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作 ○片山健夫・坂口 淳・河口仁司（奈良先端大） (13) 16:15 - 16:40 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作 ○黒須隆行・並木 周・秋本良一・鍬塚治彦（産総研）・関口茂昭・安岡奈美・森戸 健（富士通研/光電子融合基盤技研）・挾間壽文・石川 浩（産総研） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (14) 16:50 - 17:15 ポリシラン光導波路グレーティングによるErファイバレーザ発振特性 ○松田和也・石倉隆広（千歳科技大）・藤井雄介（フォトニックサイエンステクノロジ）・小林壮一（千歳科技大） (15) 17:15 - 17:40 紫外線レーザ直接描画による感光性ポリマー光導波路の損失特性 ○隠岐正義・藤澤 篤（千歳科技大）・須田俊央（フォトニックサイエンステクノロジ）・小林壮一（千歳科技大） (16) 17:40 - 18:05 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討 ○輪嶋孝樹・荒川太郎（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大） (17) 18:05 - 18:30 スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化 ○淵田 歩・松谷晃宏・小山二三夫（東工大） 8月27日(金) 午前 （09：00～12：30） (18) 09:00 - 09:25 アレイ導波路回折格子とバルク回折格子の組み合わせによる50波長チャネル個別補償可変分散補償器 ○妹尾和則・鈴木賢哉・大庭直樹・渡辺俊夫・伊東雅之・美野真司・阪本 匡（NTT） (19) 09:25 - 09:50 波長選択スイッチにおける電気干渉低減MEMSミラーアレイの作製 ○阪田知巳・碓氷光男・内山真吾・下山展弘・松浦 徹（NTT）・石井 仁（NTT/豊橋技科大）・下川房男（NTT/香川大）・佐藤康博（NTT） (20) 09:50 - 10:15 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ ○瀬川 徹・松尾慎治・硴塚孝明・柴田泰夫・佐藤具就・川口悦弘・近藤康洋・高橋 亮（NTT） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (21) 10:25 - 10:50 厚み方向にテーパ構造を持つ光導波路による高トレランスと高屈曲性の実現 ○石澤信彦・三上 修（東海大）・塩田剛史（三井化学） (22) 10:50 - 11:15 厚い異方性格子における偏光回折特性の結合波解析 ○佐々木友之・三浦健太・花泉 修（群馬大）・江本顕雄・小野浩司（長岡技科大） (23) 11:15 - 11:40 L字型Si細線導波路を用いた偏波変換器 若林 佑・○中村正志・山内潤治・中野久松（法政大） (24) 11:40 - 12:05 金属装荷導波路型偏光子の数値解析 山内潤治・○中野朋浩・中野久松（法政大） (25) 12:05 - 12:30 広帯域フレキシブル基板接続技術を用いた超小型40Gb/sドライバ内蔵EMLモジュール ○八木澤孝俊・池内 公（富士通/光電子融合基盤技研） −−− 昼食 （ 45分 ） −−− 8月27日(金) 午後 （13：15～18：35） (26) 13:15 - 13:40 ［招待講演］OECC2010報告 ～ アクティブデバイス・モジュール関連 ～ ○淵田 歩・小山二三夫（東工大） (27) 13:40 - 14:05 ［招待講演］OECC2010報告 ～ パッシブデバイス・モジュール関連 ～ ○金高健二（産総研） (28) 14:05 - 14:30 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作 ○田中大輝・伊熊雄一郎（慶大）・庄司雄哉・桑原正史・王 暁民・金高健二・河島 整（産総研）・豊崎達也・津田裕之（慶大） (29) 14:30 - 14:55 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案 ○島田敏和・小山二三夫（東工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (30) 15:05 - 15:30 光再構成型ゲートアレイのレーザーアレイ故障の復旧方法 ○渡辺貴弘・渡邊 実（静岡大） (31) 15:30 - 15:55 64コンテキストMEMS光再構成型ゲートアレイ ○山地勇一郎・渡邊 実（静岡大） (32) 15:55 - 16:20 高速動的光再構成型イメージセンサによる4点のテンプレートマッチング ○中田浩成・渡邊 実（静岡大） (33) 16:20 - 16:45 表面プラズモンを用いた金属中の自由電子励起による光検出 ○遠山 誠・相原卓磨・中川恭平・山口堅三・福田光男（豊橋技科大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (34) 16:55 - 17:20 ウェハ融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs量子ドットレーザ ○田辺克明・Denis Guimard・Damien Bordel・岩本 敏・荒川泰彦（東大） (35) 17:20 - 17:45 高密度化による波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 ○田中 有（富士通研/富士通/QDレーザ/光電子融合基盤技研）・高田 幹・石田 充（東大）・松本 武・宋 海智・江川 満（富士通研）・中田義昭（富士通研/QDレーザ）・山本剛之（富士通研/富士通/光電子融合基盤技研）・山口正臣・西 研一・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） (36) 17:45 - 18:10 1.3 um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 ○藤澤 剛・山中孝之・田所貴志・藤原直樹・荒井昌和・小林 亘・川口悦弘・都築 健・狩野文良（NTT） (37) 18:10 - 18:35 フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ ○金澤 慈・大木 明・伊藤敏夫・伊賀龍三・佐藤具就・石井啓之・大橋弘美（NTT） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 特別講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分 招待講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎26日研究科終了後、同会場内で懇親会（会費3000円程度の予定）を予定しています（終了予定は20時頃）。ぜひご参加下さい。 ☆OPE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月28日(木)～29日(金) 門司港レトロ・港ハウス [8月13日(金)] テーマ：超高速伝送・変復調・分散補償技術、超高速光信号処理技術、広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス、高光出力伝送技術、一般 (ECOC報告) 11月12日(金) 機械振興会館地下3階2号室 [9月24日(金)] テーマ：光機能性有機材料・デバイス、光非線形現象、一般 【問合先】 加藤 友章（NECシステムIPコア研究所） 〒211-8666 神奈川県川崎市中原区下沼部1753 TEL 044-431-7617 FAX 044-431-7619 E-mail:t-    bl   c 神徳 正樹（NTTフォトニクス研究所） 〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 TEL 046-240-4066 FAX 046-240-4301 E-mail:   aecl  ◎OPE研究会ホームページ http://www.ieice.or.jp/es/ope/ ◎OPE研究会では、H18年度より「学生優秀研究賞」を新設しました。学生の方の発表の中から特に優れた研究を表彰いたしますので、積極的なご投稿をお待ちしています。詳細は研究会HPをご覧ください。 ☆EMD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 9月 休会 10月15日(金) NTT武蔵野研究開発センタ [8月20日(金)] テーマ：一般 (共催：継電器・コンタクトテクノロジ研究会） 11月11日(木)～12日(金) 西安交通大学（中国、西安） [7月31日(土)] テーマ：IS-EMD2010（機構デバイス研究会第10回国際セッション） 【問合先】 長谷川 誠（千歳科学技術大学） TEL (0123)27-6059、FAX (0123)27-6059 E-mail:     p n  関川 純哉（静岡大学） TEL (053) 478-1618、FAX (053) 478-1618 E-mail: tj  kipc   服部 康弘（住友電装） TEL (059)382-8970、FAX (059)382-8591 E-mail:     -t  sws◎EMD研究会に関する最新の情報は、http://www.ieice.org/es/emd/jpn/をご参照ください。 ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 9月10日(金) 機械振興会館 [7月16日(金)] テーマ：光記録技術・電子材料、一般 10月28日(木)～29日(金) 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 [8月23日(月)] テーマ：薄膜プロセス・材料，一般 11月11日(木)～12日(金) 阪大 中ノ島センター [9月22日(水)] テーマ：窒化物および混晶半導体デバイス 11月29日(月)～12月1日(水) 九州大学医学部百年講堂 [9月10日(金)] テーマ：デザインガイア2010 ―VLSI設計の新しい大地― 【問合先】 今井 欽之（NTTフォトニクス研究所） 〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 TEL: 046-240-4549，FAX: 046-240-4300 E-mail:    aecl島村 俊重（NTTマイクロシステムインテグレーション研究所） 〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 TEL: 046-240-2415，FAX: 046-240-2936 E-mail: t  aecl☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月28日(木)～29日(金) 門司港レトロ・港ハウス [8月13日(金)] テーマ：超高速伝送・変復調・分散補償技術、超高速光信号処理技術、広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス、高光出力伝送技術、一般 (ECOC報告) 11月11日(木)～12日(金) 阪大 中ノ島センター [9月22日(水)] テーマ：窒化物および混晶半導体デバイス 【問合先】 佐藤 健二（日本電気株式会社） TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619 E-mail: s  n c宮本 智之（東京工業大学） TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977 E-mail: t   tpi  ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2010-06-22 20:43:44 |
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