11月15日(木) 午前
座長: 国清辰也 （ルネサスエレクトロニクス）
10:00 - 11:45 |
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10:00-10:05 |
オープニング トーク （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:55 |
［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ 量子輸送，新材料，原子・分子モデリング，その他 ～ |
○鎌倉良成（阪大） |
| (2) |
10:55-11:45 |
［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ コンパクトモデル、デバイス(ばらつき、信頼性) ～ |
○飯塚貴弘（広島大） |
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11:45-13:00 |
昼食 （ 75分 ） |
11月15日(木) 午後
座長: 安斎久浩 （ソニー）
13:00 - 14:15 |
| (3) |
13:00-13:50 |
［招待講演］SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ～ 低抵抗，高耐熱によるシステムの小型化 ～ |
○中村 孝・明田正俊・中野佑紀・大塚拓一・花田俊雄（ローム） |
| (4) |
13:50-14:15 |
随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法 |
○野村勝也・近藤継男・石川 剛・川本敦史・松森唯益・杉山隆英（豊田中研） |
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14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
11月15日(木) 午後
座長: 大倉康幸 （STARC）
14:30 - 15:45 |
| (5) |
14:30-15:20 |
［招待講演］高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 ～ 1/f（低周波）から熱雑音（100 MHz超）まで ～ |
○大毛利健治（筑波大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性 |
○陳 杰智・平野 泉・辰村光介・三谷祐一郎（東芝） |
11月16日(金) 午前
座長: 石川清志 （ルネサスエレクトロニクス）
10:00 - 11:40 |
| (7) |
10:00-10:25 |
20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 |
○山本真大・廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大） |
| (8) |
10:25-10:50 |
低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討 |
○佐藤大貴・大村泰久（関西大） |
| (9) |
10:50-11:15 |
経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算 |
○渡辺龍太・鎌倉良成（阪大） |
| (10) |
11:15-11:40 |
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ～ KMCとNEGFによる研究 ～ |
○森 伸也（阪大）・植松真司（慶大）・三成英樹・ミリニコフ ゲナディ（阪大）・伊藤公平（慶大） |
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11:40-13:00 |
昼食 （ 80分 ） |
11月16日(金) 午後
座長: 森 伸也 （大阪大学）
13:00 - 14:40 |
| (11) |
13:00-13:25 |
立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション |
○図師知文（早大/JST）・大毛利健治・山田啓作（筑波大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） |
| (12) |
13:25-13:50 |
現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション |
○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） |
| (13) |
13:50-14:15 |
カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析 |
○鈴木 研・大西正人・三浦英生（東北大） |
| (14) |
14:15-14:40 |
Tunnel FETの非局所モデリング ～ デバイスモデルと回路モデル ～ |
○福田浩一・森 貴洋・水林 亘・森田行則・田邊顕人・昌原明植・安田哲二・右田真司・太田裕之（産総研） |
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14:40-14:55 |
休憩 （ 15分 ） |
11月16日(金) 午後
座長: 林 洋一 （ラピスセミコンダクタ）
14:55 - 16:10 |
| (15) |
14:55-15:20 |
弾道・準弾道輸送円筒形GAA-MOSFETの回路コンパクトモデルとシミュレーション |
○程 賀（名大）・宇野重康（立命館大）・沼田達宏・中里和郎（名大） |
| (16) |
15:20-15:45 |
トンネル型トランジスタを用いたシステムLSIとSEAセル型DRAMの設計法 |
○鈴木良輔・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (17) |
15:45-16:10 |
積層型Chain構造PRAM |
○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） |
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