10月30日(木) 午後
13:00 - 16:10 |
| (1) |
13:00-13:25 |
反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜の作製と評価 |
○山口拓也・坪井 望（新潟大）・大石耕一郎（長岡高専）・小林敏志・金子双男（新潟大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長 |
○小前泰彰・齋藤 健（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（九工大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性 |
○須藤晴紀・黒田朋義・加藤有行・西山 洋・井上泰宣・赤羽正志・高田雅介・安井寛治（長岡技科大） |
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14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
14:30-14:55 |
第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化 |
○大島 穣・牧野雄一郎（長岡技科大）・片桐裕則・新保和夫（長岡高専）・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志（長岡技科大） |
| (5) |
14:55-15:20 |
SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討 |
○本間拓也・佐藤 薫・下村健晴・邵 力捷・清水英彦・岩野春男（新潟大）・星 陽一（東京工芸大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
電気磁気効果発現を目指したCr2O3スパッタ薄膜作製 |
○大月俊平・岩田展幸・山本 寛（日大） |
| (7) |
15:45-16:10 |
針状フラーレン凝集体合成プロセスの開発 |
境 恵二郎（東京理科大）・石塚大祐・飯尾靖也・栗原浩平・園村拓也（日大）・内田勝美・矢島博文（東京理科大）・岩田展幸・○山本 寛（日大） |
10月31日(金) 午前
09:00 - 12:10 |
| (8) |
09:00-09:25 |
Al下地膜上へのSrAl2O4薄膜の剥離抑制の検討 |
○張 鋒・纐纈正和・清水英彦・岩野春男・川上貴浩（新潟大） |
| (9) |
09:25-09:50 |
Mg膜とNi膜の膜厚比を変化させたMg-Ni薄膜の光学的特性 |
○平田 真・岡田智弘・清水英彦・岩野春男・川上貴浩（新潟大） |
| (10) |
09:50-10:15 |
Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討 |
○高橋沙季・二木雅斗・中村陽平・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大）・星 陽一（東京工芸大） |
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10:15-10:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (11) |
10:30-10:55 |
アゾベンゼン分子薄膜の近接場光加工とサブミクロン物質の配列制御 |
○木村浩章・山崎 初・大平泰生・新保一成・馬場 暁・加藤景三・金子双男（新潟大） |
| (12) |
10:55-11:20 |
細管内金属ワイヤ電極を用いたエレクトロスピニング法による高分子ファイバーの作製 |
○星野力哉・小野塚信太郎・大平泰生・馬場 暁・新保一成・加藤景三・金子双男（新潟大） |
| (13) |
11:20-11:45 |
絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源 |
○斉藤裕史・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） |
| (14) |
11:45-12:10 |
反応性高速スパッタ法により作製したTiO2薄膜の構造と光触媒特性 |
○星 陽一・石原太樹・境 哲也・雷 浩（東京工芸大）・清水英彦（新潟大） |
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