6月20日(金) 午前
09:00 - 17:00 |
| (1) |
09:00-09:20 |
CdSe/ZnS量子ドット蛍光体及び有機色結合型pHセンサー |
○倉林智和・船木那由太・福田武司・本多善太郎・鎌田憲彦・鈴木美穂（埼玉大） |
| (2) |
09:20-09:40 |
フレキシブル透明TFTに向けた低温プロセスZnO薄膜の結晶性評価 |
○渡邉 拓・モハマッ カーフィ アディー ビン・山内 博・國吉繁一・飯塚正明・酒井正俊・工藤一浩（千葉大） |
| (3) |
09:40-10:00 |
熱刺激電流測定法による有機電気光学デバイスの熱安定性の評価II |
○池本龍馬・杵村和彦（東工大）・山田俊樹・大友 明（NICT）・田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） |
| (4) |
10:00-10:20 |
水晶振動子・表面プラズモン共鳴複合センサによる電解質交互吸着膜の堆積その場評価 |
○新保一成・河内啓介・廣上昌洋・大平泰生・馬場 暁・加藤景三・金子双男（新潟大） |
| (5) |
10:20-10:40 |
電反応性SAMと蒸着重合による電極／高分子界面の制御 |
萩原佑哉・金 性湖・田中邦明（東京農工大）・Rigoberto C. Advincula（ケースウェスタン大）・○臼井博明（東京農工大） |
| |
10:40-11:00 |
休憩 （ 20分 ） |
| (6) |
11:00-11:20 |
縮退クロスバースイッチの研究（その1） ～ クロスバースイッチの基本と問題提起 ～ |
○小原 仁（秋田大） |
| (7) |
11:20-11:40 |
プリント基板上に設置した対象物の基本力学パラメータの評価方法(5) ～ 固有振動数・減衰比(2) ～ |
○越田圭治・和田真一・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎（日本工大） |
| (8) |
11:40-12:00 |
定在波同軸管法を用いたPIM測定における非共振試料の試料長依存性に関する考察 |
○森田久美子・久我宣裕（横浜国大） |
| |
12:00-13:00 |
昼食 （ 60分 ） |
| (9) |
13:00-13:50 |
特別講演 |
| |
13:50-14:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (10) |
14:00-14:20 |
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布 |
○中村友紀・石塚侑己・山口直也・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） |
| (11) |
14:20-14:40 |
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長 |
○大橋優樹・叶内慎吾・山口直也・玉山泰宏・加藤孝弘・安井寛治（長岡技科大） |
| (12) |
14:40-15:00 |
Bi系ペロブスカイト型酸化物人工超格子の磁気的-電気的特性 |
○渡部雄太・及川貴大・稲葉隆哲・大島佳祐・高瀬浩一・橋本拓也・山本 寛・岩田展幸（日大） |
| (13) |
15:00-15:20 |
溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 ～ 中間層挿入と熱処理 ～ |
○寺迫智昭・村上聡宏・兵頭 篤・白方 祥（愛媛大） |
| |
15:20-15:40 |
休憩 （ 20分 ） |
| (14) |
15:40-16:00 |
LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長および構造解析 |
○中村拓未・林 佑太郎・隅田貴士・橋本浩佑・岩田展幸・山本 寛（日大） |
| (15) |
16:00-16:20 |
YAlO3単結晶基板の表面処理条件の探索とCr2O3薄膜の結晶成長 |
○林 佑太郎・中村拓未・隅田貴士・橋本浩佑・山本 寛・岩田展幸（日大） |
| (16) |
16:20-16:40 |
自由電子レーザーを照射して成長させた単層カーボンナノチューブの電気特性 |
○津田悠作・吉田圭佑・川口大貴・岩田展幸・山本 寛（日大） |
| (17) |
16:40-17:00 |
溶液成長法によって作製したPbS薄膜の移動度及びキャリア濃度の成長時間依存性 |
○摩須大輝・高野 泰・石田明広（静岡大） |
: tj
k
ipc
-
t
n-elec