12月12日(金) 午前 シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術
10:00 - 12:00 |
| (1) |
10:00-10:15 |
長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 |
○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (2) |
10:15-10:30 |
pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 |
○藤原寛朗・森岡直也・田中 一・須田 淳・木本恒暢（京大） |
| (3) |
10:30-10:45 |
B+およびB10H14+注入Si基板の軟X線照射による活性化 |
○部家 彰・草壁 史・平野翔大・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大） |
| (4) |
10:45-11:00 |
DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構 |
○中村昇平・松尾直人・部家 彰・山名一成・高田忠雄（兵庫県立大）・福山正隆・横山 新（広島大） |
| (5) |
11:00-11:15 |
炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果 |
○竹内光明・林 恭平・龍頭啓充・高岡義寛（京大）・永山 勉・松田耕自（日新イオン機器） |
| (6) |
11:15-11:30 |
エレクトロルミネッセンス（EL）発光強度を用いたシリコン太陽電池モジュールの機能解析 |
○富本剛史・都築翔太・谷 あゆみ（奈良先端大） |
| (7) |
11:30-11:45 |
ボロン含有シリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる高効率シリコン太陽電池への応用 |
○真鍋満顕・阪川秀紀・西村英紀（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人）・冬木 隆（奈良先端大） |
| (8) |
11:45-12:00 |
電界効果型マイクロウォール太陽電池 |
○大木康平・若宮彰太・小林孝裕・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大） |
| |
- |
昼食休憩 |
12月12日(金) 午後 シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術
13:00 - 15:30 |
| (9) |
13:00-13:15 |
n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価 |
○渕矢剛宏・前田善春・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (10) |
13:15-13:30 |
N型・P型・PIN型薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調型フォトセンサの特性比較 |
○前田善春・渕矢剛宏・門目尭之・田中 匠・春木翔太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (11) |
13:30-13:45 |
スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT |
○目黒達也・原 明人（東北学院大） |
| (12) |
13:45-14:00 |
Poly-Si TFTを用いたハイブリッド型温度センサの特性比較 |
○木藤克哉・林 久志・北島秀平・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (13) |
14:00-14:15 |
Poly-Si TFTを用いた同期回路と非同期回路の特性評価 |
○永瀬洋介（龍谷大）・松田時宜・木村 睦（阪大）・松本健俊・小林 光（龍谷大） |
| (14) |
14:15-14:30 |
レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 |
○高尾 透・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (15) |
14:30-14:45 |
ゲート付きPoly-Si Hall素子と IGZO Hall素子による磁場センサの研究開発 |
○松本貴明・吉川朗登・宮村祥吾・志賀春紀・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・小澤徳郎・青木幸司・郭 志徹（エーユーオージャパン） |
| (16) |
14:45-15:00 |
GaSnO薄膜の特性評価 |
○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (17) |
15:00-15:15 |
IGZO薄膜に対する成膜条件による影響 |
○西野克弥・高橋宏太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| (18) |
15:15-15:30 |
ITZO TFTを用いたタッチパネル回路の特性解析 |
○古我祐貴・松田時宜（龍谷大）・古田 守（高知工科大）・木村 睦（龍谷大） |
| |
- |
休憩 |
12月12日(金) 午後 シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術
15:45 - 18:00 |
| (19) |
15:45-16:00 |
空孔率制御によるポーラスシリコン膜の自己組織的3次元微細構造形成 |
○石黒敬太・出野上真樹・青木画奈・藤井 稔（神戸大） |
| (20) |
16:00-16:15 |
軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成 |
○草壁 史・平野翔大・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏・宮本修治（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） |
| (21) |
16:15-16:30 |
Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 |
○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） |
| (22) |
16:30-16:45 |
シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 |
○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） |
| (23) |
16:45-17:00 |
4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 |
○浅田聡志・奥田貴史・木本恒暢・須田 淳（京大） |
| (24) |
17:00-17:15 |
水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 |
○梅原智明・堀田昌宏・吉嗣晃治・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
| (25) |
17:15-17:30 |
二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 |
○小石遼介・森山拓洋・木村康平・河野公紀・宮下英俊・李 相錫・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） |
| (26) |
17:30-17:45 |
NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性 |
○篠倉弘樹・西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） |
| (27) |
17:45-18:00 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ |
○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） |
: 
fff
e
