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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 山村 毅 (富士通研)
副委員長 藤島 実 (広島大)
幹事 松岡 俊匡 (阪大), 渡辺 理 (東芝)
幹事補佐 菊地 克弥 (産総研), 吉田 毅 (広島大), 土谷 亮 (京大), 範 公可 (電通大)

日時 2014年 4月17日(木) 09:30 - 17:20
2014年 4月18日(金) 09:30 - 16:05
議題 メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修2号室 
住所 〒105-0011 港区芝公園3-5-8
交通案内 JR:浜松町駅下車徒歩約15分,地下鉄日比谷線:神谷町駅下車徒歩約8分,地下鉄都営三田線:御成門駅下車徒歩約6分,東京タワー北側
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter 共催
お知らせ ◎初日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください

4月17日(木) 午前 
座長: 崎村 昇 (NEC)
09:30 - 11:10
(1) 09:30-10:20 [チュートリアル講演]高速不揮発性RAMとフラッシュメモリで構成するハイブリッド・ストレージ ○竹内 健(中大)
(2) 10:20-11:10 [招待講演]Unified Memory Extensionによりランダムリード性能66.3 KIOPSシーケンシャルリード性能690MB/sを達成するUniversal Flash Storageデバイスコントローラ ○吉井謙一郎・渡邊幸之介・近藤伸宏・前田賢一・藤澤俊雄・弘原海潤治・宮下大輔・香西昌平・畝川康夫・藤井伸介・青山琢磨・田村隆之・国松 敦・大脇幸人(東芝)
  11:10-11:20 休憩 ( 10分 )
4月17日(木) 午前 
座長: 三浦 典之 (神戸大学)
11:20 - 13:00
(3) 11:20-11:45 三次元TSV積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドSSDにおける不揮発メモリへの性能要求 ○宮地幸祐(中大)・藤井裕大(東大)・上口 光(中大)・樋口和英・孫 超(東大)・竹内 健(中大)
(4) 11:45-12:10 [依頼講演]RAID-5/6構成のクラウドデータセンタ向けReRAM/TLC NANDフラッシュメモリのハイブリッドストレージ ○山沢裕紀・徳富 司(中大)・田中丸周平・寧 渉洋(中大/東大)・竹内 健(中大)
(5) 12:10-12:35 ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案 ○蜂谷尚悟・上口 光(中大)・宮地幸祐(信州大)・竹内 健(中大)
(6) 12:35-13:00 SSDを用いたデータベースストレージシステムにおけるアプリケーション層とNANDフラッシュメモリ層の協調設計 ○宮地幸祐(中大)・孫 超(東大)・曽我あゆみ・竹内 健(中大)
  13:00-14:00 昼食 ( 60分 )
4月17日(木) 午後 
座長: 竹内 健 (中央大学)
14:00 - 17:20
(7) 14:00-14:50 [チュートリアル講演]高速低消費不揮発メモリSTT-MRAMの展望 ○藤田 忍(東芝RDC)
(8) 14:50-15:15 [依頼講演]1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~ 大澤 隆・○小池洋紀(東北大)・三浦貞彦(NEC)・木下啓蔵(東北大)・本庄弘明(NEC)・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎(東北大)
(9) 15:15-15:40 [依頼講演]全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ 松永翔雲(東北大)・崎村 昇・根橋竜介・杉林直彦(NEC)・夏井雅典・○望月 明・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘(東北大)
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(10) 15:50-17:20 [パネル討論]システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ 三輪 達(サンディスク)・○新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)・藤田 忍(東芝)・小池洋紀(東北大)・竹内 健(中大)
4月18日(金) 午前 
座長: 宮野 信治 (東芝)
09:30 - 10:20
(11) 09:30-09:55 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ ○梅木洋平・柳田晃司・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博(神戸大)・角田浩司・杉井寿博(超低電圧デバイス技研組合)
(12) 09:55-10:20 [依頼講演]Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男(超低電圧デバイス技研組合)・水谷朋子・平本俊郎(東大)
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
4月18日(金) 午前 
座長: 宮地 幸祐 (信州大学)
10:30 - 11:45
(13) 10:30-11:20 [招待講演]7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発 ○福田寿一・小原弘治・堂坂利彰・武山泰久・緑川 剛(東芝)・橋本健二・脇山一郎(TOSMEC)・宮野信治・北城岳彦(東芝)
(14) 11:20-11:45 [依頼講演]27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路 ○櫛田桂一・橘 文彦・平林 修・武山泰久・川澄 篤・鈴木 東・仁木祐介・静野観椰子・佐々木慎一・矢部友章・畝川康夫(東芝)
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
4月18日(金) 午後 
座長: 松岡 俊匡 (大阪大学)
13:00 - 14:40
(15) 13:00-13:50 [招待講演]28nmテクノロジを用いた400MHz 4-Parallel 1.6Gsearch/s 80Mb Ternary CAMの設計 ○新居浩二・天野照彦・渡邊直也(ルネサス エレクトロニクス)・山脇 実・吉永賢司・和田実邦子(ルネサス システムデザイン)・林 勇(ルネサス エレクトロニクス)
(16) 13:50-14:40 [招待講演]10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 ○昌原明植・遠藤和彦・大内真一・松川 貴・柳 永勛・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之(産総研)
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
4月18日(金) 午後 
座長: 梶谷 一彦 (マイクロン)
14:50 - 16:05
(17) 14:50-15:15 [依頼講演]ISSCCにおけるメモリ論文動向 ~ 過去10年のトレンド解析と予想 ~ ○川澄 篤(東芝)
(18) 15:15-15:40 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀(東北大)・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦(NEC)・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎(東北大)
(19) 15:40-16:05 超高速なデータ検索を実現するデータベースプロセッサー(DBP) ~ メモリ型コンピューティングで情報処理を大きく進化革新 ~ ○井上克己(エイ・オー・テクノロジーズ)・範 公可(電通大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分
チュートリアル講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 松岡 俊匡 (大阪大学)
TEL 06-6879-7792,FAX 06-6879-7792
E--mail:eeieng-u 


Last modified: 2014-03-29 19:28:01


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