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★集積回路研究会(ICD)
専門委員長 山村 毅 (富士通研)  副委員長 藤島 実 (広島大)
幹事 渡辺 理 (東芝)
幹事補佐 吉田 毅 (広島大), 高宮 真 (東大), 土谷 亮 (京大), 範 公可 (電通大)

★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)  副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2014年 8月 4日(月) 09:00~18:45
   2014年 8月 5日(火) 09:00~17:35

会場 北海道大学情報教育館3階多目的ホール(札幌市北区北17条西8丁目.地下鉄北18条駅から徒歩8分またはJR札幌駅より徒歩21分.http://www.hokudai.ac.jp/introduction/campus/campusmap/131113sapporo-map.pdf)

議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

8月4日(月) (09:00~18:45)

(1) 09:00 - 09:50
[招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
○Koichiro Ishibashi(UEC)・Nobuyuki Sugii(LEAP)・Kimiyoshi Usami(SIT)・Hideharu Amano(KU)・Kazutoshi Kobayashi(KIT)・Cong-Kha Pham(UEC)・Hideki Makiyama・Yoshiki Yamamoto・Hirofumi Shinohara・Toshiaki Iwamatsu・Yasuo Yamaguchi・Hidekazu Oda・Takumi Hasegawa・Shinobu Okanishi・Hiroshi Yanagita(LEAP)

(2) 09:50 - 10:40
[招待講演]ワイヤレスセンサネットワーク向け超低消費電力2ステップウェイクアップ受信機
○阿部敬之・佐藤多俊・中村重紀・堀内陽一郎・今村幸司(パナソニック)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(3) 10:50 - 11:15
2GHz CPUと低電力1GHz CPUを有する28nm High-k/MGプロセスを用いたヘテロジーニアス型マルチコアモバイルアプリケーションプロセッサ
○五十嵐満彦・植村俊文・森 涼・岸部浩司・谷口正明・若原康平・齋藤俊治・藤ヶ谷誠希・福岡一樹・新居浩二・片岡 健・服部俊洋(ルネサス エレクトロニクス)

(4) 11:15 - 11:40
積層前TSVテスト回路及び1GHzフルデジタルノイズモニタを用いた12.8GB/s Wide IO DRAMコントローラのテスト容易化
○野村隆夫・森 涼・高柳浩二・落合俊彦・福岡一樹・木田 剛・新居浩二・森田貞行(ルネサス エレクトロニクス)

(5) 11:40 - 12:05
車載LAN向け非接触コネクタ及び高ノイズ耐性送受信回路
○岡田 晃・小菅敦丈・石塚 秀(慶大)・劉 楽昌(九大)・田口眞男・石黒仁揮・黒田忠広(慶大)

−−− 昼食 ( 60分 ) −−−

(6) 13:05 - 13:55
[招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之(産総研)

(7) 13:55 - 14:45
[招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子(超低電圧デバイス技術研究組合)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(8) 14:55 - 15:45
[招待講演]待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ
○崎村 昇・辻 幸秀・根橋竜介・本庄弘明・森岡あゆ香・石原邦彦(NEC)・木下啓藏・深見俊輔(東北大)・三浦貞彦(NEC)・笠井直記・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘(東北大)・杉林直彦(NEC)

(9) 15:45 - 16:35
[招待講演]180nm結晶性酸化物半導体トランジスタを用いた1.5-clock backup/2.5-clock restoreとゼロ・スタンバイ・パワーを実現する32bit CPU
○小山 潤・磯部敦生・田村 輝・加藤 清・王丸拓郎・上杉 航・石津貴彦・大嶋和晃・鈴木康太・筒井直昭・熱海知昭・塩野入 豊・前橋幸男(半導体エネルギー研)・藤田昌宏(東大)・山崎舜平(半導体エネルギー研)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(10) 16:45 - 18:45
パネルディスカッション「トリリオンセンサー・ユニバースを実現するデバイス・回路技術とは?」
[オーガナイザー]石橋 孝一郎(電通大)、[モデレーター]吉本 雅彦(神戸大)
[パネリスト]藁科 克彦(D-CLUE)、崎村 昇(NEC)、小山 潤(半エネ研)、阿部 敬之(パナソニック)、昌原 明植(産総研)、杉井 信之(LEAP)、藤田 忍 (東芝)、羽生 貴弘(東北大)

8月5日(火) (09:00~17:35)

(11) 09:00 - 09:50
[招待講演]しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作
○平本俊郎・上田晃頌・鄭 承旻・水谷朋子・更屋拓哉(東大)

(12) 09:50 - 10:15
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析
○水谷朋子(東大)・山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之(超低電圧デバイス技術研究組合)・平本俊郎(東大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(13) 10:25 - 10:50
待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
○伊藤隆祐(中大)・小林伸彰(長岡技科大)・榎本忠儀(中大)

(14) 10:50 - 11:15
40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM
○横山佳巧・石井雄一郎・小嶋英充・宮西篤史・辻橋良樹・朝山 忍・柴 和利・田中浩二・福田達哉・新居浩二・柳沢一正(ルネサス エレクトロニクス)

(15) 11:15 - 12:05
[招待講演]MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA
○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・藤田 忍・安田心一(東芝)

−−− 昼食 ( 60分 ) −−−

(16) 13:05 - 13:55
[招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
○砂村 潤・古武直也・齋藤 忍・成広 充・林 喜宏(ルネサス エレクトロニクス)

(17) 13:55 - 14:20
プローブ圧力によるトランジスタ特性変動評価と圧力抽出手法
○岡垣 健・長谷川拓実・高篠裕行・藤井理子・津田敦志・渋谷宏治・出口善宣・横田美穂・小野沢和徳(ルネサス エレクトロニクス)

(18) 14:20 - 14:45
ダブルゲートMOS型トランジスタを用いた論理回路の検討
○嘉藤淳紀・渡辺重佳・二宮 洋・小林 学・三浦康之(湘南工科大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(19) 14:55 - 15:20
65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価
○大島 梓・岸田 亮・籔内美智太郎・小林和淑(京都工繊大)

(20) 15:20 - 15:45
時間計測アプリケーションに向けた超低電力弛張発振回路
○椿 啓志・廣瀬哲也・尾崎年洋・黒木修隆・沼 昌宏(神戸大)

(21) 15:45 - 16:10
アレイ発振器の共有による低電力、小面積磁界通信用周波数キャリブレーション技術
○北沢直紀・徐 照男・石黒仁揮(慶大)

(22) 16:10 - 16:35
ソース電圧シフトによるコンパレータの動的閾値制御を用いたSAR型ADCの小型、低電力化
○米倉正樹・吉岡健太郎・石黒仁揮(慶大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(23) 16:45 - 17:35
[招待講演]有機エレクトロニクスの研究動向と最新事例: 有機トランジスタを集積化したワイヤレス尿漏れ検出センサシート
○更田裕司・吉岡和顕・横田知之・雪田和歌子・小泉真里・関野正樹(東大/JST)・関谷 毅(東大/阪大/JST)・高宮 真・染谷隆夫・桜井貴康(東大/JST)

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分

◆共催:IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter


☆ICD研究会

【問合先】
鈴木 弘明(日本写真印刷)
TEL:(075)823-5327
E-mail:h-ss

☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

10月16日(木)~17日(金) 東北大学未来研 [8月12日(火)] テーマ:プロセス科学と新プロセス技術
11月6日(木)~7日(金) 機械振興会館 [9月16日(火)] テーマ:プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般

【問合先】
諸岡 哲(東芝)
TEL:(044)549-2870
E-mail: ba


Last modified: 2014-07-04 13:42:47


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